氮化镓（GaN）作为一种宽禁带半导体材料，广泛应用于高亮度LED、激光二极管、电力电子器件等领域。研究其能带结构和缺陷态对于优化材料性能、提高器件效率至关重要。然而，“理学荧光光谱仪”这一术语通常指的是基于X射线技术的分析仪器，例如由Rigaku公司制造的X射线荧光光谱仪（XRF），主要用于元素分析和材料科学研究。对...
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11.3 GaN的晶体结构和能带 半导体材料是现代高科技的基础材料,对国家现代化进程有重要作用。浙江大学半导体材料学科建立于20世纪50年代,60多年来在半导体材料教学、科研和人才培养等方面积累了大量的实践经验,在国内外有重要的学术影响,也为我国半导体材料领域培养了大
摘要PAGE I 论文题目:Mn掺杂纤锌矿GaN能带结构的第一性原理分析摘 要纤锌矿GaN是相对比较明显且稳定的相,属于直接能隙的半导体,有较大的禁带宽度值,为3.4eV,具有优良的物理、化学性质及热稳定性, 以及介电常数小、击穿电压高等特点使得其可以成为优良的光电器件材料,在高温大功率器件和高频微波器件应用方面也有着...
本文基于第一性原理,采用赝势平面波法 (PP-PAW )计算了闪锌矿结构GaN价带 顶(VBM)和导带底(CBM)附近的能带结构,并将计算结果与有效质量近似理论相结合,得到了布里渊区中心附 近电子和空穴的有效质量,以及相应的Luttinger[9]参数。 1. 模型和方法 本文基于密度泛函理论,从第一性原理赝势平面波方法出发,利用文献...
此基准模型计算未发生应变和发生应变的块状 GaN 纤锌矿晶体的价带结构,为想要使用“薛定谔方程”接口建立多个波函数分量的用户提供教学案例。该模型遵循 Chuang 和 Chang 在参考资料中给出的公式,使用内置特征来输入哈密顿矩阵的对角线和非对角线元素,并在模型文档中提供详细的操作说明。计算出的特征值与文献中的解析...
以从不同形式设计能带结构 应变会改变系统禁带宽度 使带阶和子能带明显窄化 价带结构趋于复杂甚至生成准 . , , 能带结构 与实验结果对比后发现 该模型适于模拟窄势阱结构超晶格 而对于宽势阱则必须考虑内建电场的 作用. :AlN / InN AlN / GaN ,Kr nig-Penney , , 关键词 和 超晶格 模型 应变 子能带 ...
带为1.81eV),约是AlN/GaN带阶(导带为1.97 eV,价带为0.8eV)的两倍[7],对能带的调制作用强,子带隙能够轻易覆盖1.3—1.55μm波段,是能 带工程的最佳研究对象之一.此外有研究表明,能 够通过二元Ⅲ-NSL结构来制备准三元Ⅲ-N,这种 2. 计算方法 本文所讨论的SL系统能带结构采用K-P模型 结合有效质量理论和能带近...
闪锌矿结构 GaN 电子结构 有效质量 摘要: 从第一性原理赝势平面波( PP-PAW)方法出发,计算了闪锌矿结构半导体材料GaN的能带结构,利用对价态的相对论处理,研究了布里渊区中心点附近价带顶( VBM)的自旋轨道分裂能。基于有效质量近似理论,计算了导带底(CBM)附近电子的有效质量,以及Γ点附近沿着[100],[110]和[111]...
1.AlGaN/GaN/AlGaN/GaN双异质结构 该双异质结构在常规AlGaN/GaN异质结构的沟道下方插入一薄层AlGaN背势垒层,由于GaN与AlGaN之间的带隙差和极化效应,沟道下方的势垒高度显著提高,载流子限域性明显提高,抑制了沟道中的2DEG溢出到缓冲层中,其能带结构如图2所示。