氮化镓(GaN)是一种具有较大禁带宽度的半导体,属于宽禁带半导体之列。 氮化镓是微波功率晶体管的优良材料,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照、抗高温、抗高压能力。 GaN材料的研究与应用是目前全球...
氮化镓(GaN)是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。GaN是极稳定的化合物,又是坚硬的高熔点材料,熔点约为1700℃。 物理外观上氮化镓(GaN)一般为黄色粉末,类铅锌矿晶体,摩尔质量为 83.73 g/mol g · mol ⁻ ¹,熔点在 2500...
由于具有出色的高频特性,GaN与砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)等其他复合半导体一样,已成为适用于单片微波集成电路(MMIC)和混合微波电路等高频电路的III-V族半导体。GaN尤其适用于发射信号链中的HPA。目前,许多GaN代工服务通常使用SiC基GaN处理高频应用,但最近,许多代工...
2024年6月20日，汽车芯片大厂瑞萨电子宣布已完成对GaN功率半导体全球供应商Transphorm的收购。根据协议，瑞萨子公司将以每股5.10美元现金收购Transphorm所有已发行普通股，该公司估值约为3.39亿美元。随着收购的完成，瑞萨电子将立即开始提供基于GaN的功率产品和相关参考设计，以满足对宽禁带半导体产品日益增长的需求。2024...
一、氮化嫁（GaN）定义 氮化镓材料定义：氮化镓(GaN)主要是由人工合成的一种半导体材料，禁带宽度大于2.3eV，也称为宽禁带半导体材料。氮化镓材料为第三代半导体材料的典型代表，是研制微电子器件、光电子器件的新型材料。图1：第一、第二、第三代半导体的禁带宽度图源：智慧芽1.1 第一代半导体材料第一代半导体材料...
一、氮化镓功率半导体行业概述 氮化镓(GaN)是第三代宽禁带半导体材料的代表之一,它具有宽带隙、电子迁移率高、开关频率高、导通电阻低、耐高压、耐高温等综合优势。更宽的带隙使氮化镓能够在更高的电压下工作,而更高的电子迁移率提高了电流驱动能力和响应速度,显著减少了热散失并提高了功率效率。
【你相信光吗？】：GaN还有一个自己独特的优势。它是第一个能够可靠地发出绿色、蓝色、紫色和紫外光的半导体。GaN半导体的缺点是它们还没有可靠的绝缘体技术。这使故障安全设备的设计变得复杂。换句话说，如果控制电路发生故障，则故障打开。SiC 和 GaN 基板应用示意图 而SiC是由硅和碳组成的化合物半导体材料，在热...
1、GaAs/GaN材料简介 1.1、GaAs 砷化镓(GaAs)是当前最重要、技术成熟度最高的化合物半导体材料之一。GaAs材料具备禁带宽度大、电子迁移率高的特性,且为直接带隙,发光效率高,是当前光电子领域应用的最主要材料,同时也是重要的微电子材料。根据...
未来,随着纳微的GaN功率半导体从消费类市场深入到大功率、高频率电源市场,纳微将有计划的扩充杭州研发中心的规模,以便更好的为客户服务。 也许从目前来看,GaN功率半导体想要实现爆发还有很多问题需要解决,但是在纳微半导体看来,不存在问题的市场才是大有问题,不成熟的GaN功率半导体市场,才潜藏着巨大的机遇!(校对/尔目...