GaN器件则在中小功率场景展现独特优势。纳微半导体NV6128（650V/170mΩ）搭载于小鹏P7的6.6kW OBC模块，利用GaN的高电子迁移率特性，将功率密度提升至3.2kW/L，体积较传统方案缩小60%。其零反向恢复特性更彻底消除了开关震荡风险，使电磁兼容（EMC）设计成本降低30%。二、电驱动系统：高压平台下的能
氮化镓(GaN)是一种具有较大禁带宽度的半导体,属于宽禁带半导体之列。 氮化镓是微波功率晶体管的优良材料,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照、抗高温、抗高压能力。 GaN材料的研究与应用是目前全球...
与传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）相比，氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）FET在功率密度和效率方面表现出色。SiC器件能够提供高达1,200V的电压等级，并具备高载流能力，非常适合汽车和机车牵引逆变器、高功率太阳能发电场以及大型三相电网转换器等应用。而GaN FET，如600V等级的产品，在高功率密度转换器...
氮化镓（GaN）在半导体领域的应用带来了深远且广泛的影响。凭借其独特的物理特性，氮化镓正逐步突破传统技术的束缚，引领半导体技术的革新与进步。首先，氮化镓的宽禁带特性赋予了它出色的耐电场和耐高温能力，这使得制造高功率密度和高工作频率的半导体器件成为可能。这一优势使得氮化镓在功率电子、微波通信、雷达以及卫星通...
一、氮化嫁（GaN）定义 氮化镓材料定义：氮化镓(GaN)主要是由人工合成的一种半导体材料，禁带宽度大于2.3eV，也称为宽禁带半导体材料。氮化镓材料为第三代半导体材料的典型代表，是研制微电子器件、光电子器件的新型材料。图1：第一、第二、第三代半导体的禁带宽度图源：智慧芽1.1 第一代半导体材料第一代半导体材料...
江苏镓宏半导体有限公司(原徐州金沙江半导体有限公司)成立于2021年,项目发起人为氮化镓领域 (GaN HEMT、氮化镓晶体管、GaN FET、氮化镓HEMT器件、氮化镓外延片、氮化镓应用技术)领军人物, 以业内领先的氮化镓HEMT等氮化镓功率器件和其全新应用为拳头产品,充分发挥国际领
本文统计氮化镓GaN半导体器件(GaN Semiconductor Devices),分为GaN功率器件(场效应晶体管(FET))和GaN射频器件(功率放大器PA、低噪声放大器LNA、射频开关SW ITCH、单片集成电路MMIC)两大类。 其中GaN射频器件目前处于主导地位,占有大约85%的市场份额,而GaN功率器件目前占有剩余的15%。氮化镓功率器件近几年增长迅速,大量...
图1 GaN HEMT(增强型) VS 硅LDMOS结构 从结构看,氮化镓功率器件和硅LDMOS都是横向结构,即他们的源极(Source)、栅极(Gate)和漏极(Drain)都在芯片的上表面。同时为了让电场分布更加均匀,他们都使用了场板的设计。不同之处在于氮化镓是化合物半导体外延,通过异质结形成高电子迁移率的二维电子气沟道(2DEG)。而硅LD...
年产20 万片 GaN功率器件晶圆项目 建设单位：江西万年晶半导体有限公司 建设性质：新建（迁建）施工工期：12个月 投资总额：250000万元 建设地点：上饶市万年县高新技术产业园区丰收工业园东外环线 项目主要设备：RCA 清洗、有机清洗机、酸碱清洗机、步进式光刻机等 项目概况：项目以蓝宝石外延片、金属、盐酸、硫酸...
江苏镓宏半导体有限公司(原徐州金沙江半导体有限公司)成立于2021年,项目发起人为氮化镓领域 (GaN HEMT、氮化镓晶体管、GaN FET、氮化镓HEMT器件、氮化镓外延片、氮化镓应用技术)领军人物, 以业内领先的氮化镓HEMT等氮化镓功率器件和其全新应用为拳头产品,充分发挥国际领