Ra<0.5nm Crystal plane deviation <±1°2. 氧化镓掺杂特性无意掺杂(UID)β-Ga2O3通常表现出n型导电性,载流子浓度在低1017cm-3。它可以在很宽的范围内掺杂,使用硅(Si)、锗(Ge)或锡(Sn)进行掺杂可以提供可控的n型导电性。铁(Fe)和镁(Mg)掺杂剂都用作深受主实现半绝缘特性,以获得高电阻率。3...
相比于单极型器 件, 采用p-n结构设计的双极型器件具有电导调制能 力 、雪崩能力和更优异的浪涌电流能力, 同时可以通 过降低表面电场(reduced surface electric field, RES- URF)设计更多的终端结构[2] 。 在p型掺杂难以实现的情况下, 将Ga2O3与其他p型 材料进行异质集成, 可以为Ga2O3基功率器件设计提供 新...
在制备过程中,H的掺杂导致β-Ga2O3中存在n型导电性。 结论与展望 H吸附器件具有n型导电性,使得在相同的Vb下,H吸附器件的电流值大约是Pure器件的两倍。而β-Ga2O3的水分传感性能主要来源于离解后吸附在表面上的H,间隙H和取代H提高了β-Ga2O3的电导率,它为后续的H掺杂研究和载流子调制提供了理论支持。 文献...
未掺杂的gan自发极化以及压变极化产生的极化电场可以实现能带倾斜,为了使异质结费米能级平衡,多余的电子会从ga2o3处转移到异质结界面处未掺杂的gan一侧的势阱,形成具有高迁移率的2deg。虽然ga2o3与gan导带带阶较小,只有0.15ev,但是ga2o3很容易进行n型掺杂,因此可以对ga2o3进行n型掺杂来有效的调节ga2o3的费米...
所以如今研究者普遍认为杂质是造成非故意掺杂衬底n型导电的原因。因此猜 测晶体中的施主可能来源于原料中的Si等n型杂质离子。 图5 β-Ga2O3晶体C-V曲线图 Fig. 5 C-V curve of β-Ga2O3 crystal 晶体的紫外透过光谱如图6(a)所示,当波长为λ的光入射到半导体表面时,光激发产生电子-空穴对的 条件是,Eg为...
同时因具有高化学稳定性,目前已实现多种方式获得大尺寸、低成本单晶制备技术,考虑到在材料制备方面拥有明显成本优势且易于实现n型掺杂,因而β-Ga2O3被视为下一代功率半导体材料的有力竞争者。最近,基于机械剥离与晶圆键合工艺制备的β-Ga2O3-on-SiC薄膜结构可在有效改善器件散热性能的同时维持工艺的稳定性与薄膜的...
Kumabe及其合作者制作器件的方法是,在AlN基底上生长出300 nm厚的Al0.7Ga0.3N接触层,然后是400 nm厚的分布式极化掺杂AlGaN n型层、120 nm厚的分布式极化掺杂p型层,最后是20 nm厚的镁掺杂GaN接触层。在分布式极化掺杂层中,AlGaN层的铝含量从70%到95%不等。
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通过使用取决于分级方向的正或负固定空间电荷,可以在氮化物化合物中实现p型和n型导电性。在这种方法的基础上,名古屋大学和旭化成的研究小组利用分布式极化掺杂法在AlN基激光二极管中产生了一个p型层。据说,这种生产p型层的方法可以提高注入效率,减小串联电阻,最终实现在紫外线下连续发射激光。
Ga2O3作为一种重要的n型半导体材料,具有高透光性、良好的导电性及高化学稳定性等特性,成为制备TCO薄膜的重要材料之一。本文以Ga2O3/金属/Ga2O3叠层UV-TCO薄膜为研究对象,探讨了其光电性能的优化方法及效果。 二、材料与方法 1.材料准备 本实验选用高纯度的Ga2O3粉末、不同种类的金属薄膜材料等。将Ga2O3粉末...