随着氰胺缺陷在g-C3N4中的增加,其荧光信号逐渐减少,这表明了氰基的引入,有利于光激发的电荷载流子分离。此外,瞬态荧光光谱表明,相对于原始的g-C3N4,氰胺缺陷的g-C3N4荧光寿命的显著缩短,这归因于在氰胺缺陷出现的带尾的快速辐射电子空穴...
随着氰胺缺陷在g-C3N4中的增加,其荧光信号逐渐减少,这表明了氰基的引入,有利于光激发的电荷载流子分离。此外,瞬态荧光光谱表明,相对于原始的g-C3N4,氰胺缺陷的g-C3N4荧光寿命的显著缩短,这归因于在氰胺缺陷出现的带尾的快速辐射电子空穴复合过程。电子顺磁共振谱表明,相对于原始的g-C3N4,氰胺缺陷的g-C3N4具备更长的...
采用平面波超软赝势方法研究了Li、Na、K三种碱金属离子修饰对g-C3N4能带结构和载流子迁移过程的影响。对建立的六种吸附构型分别采用广义梯度近似和局域密度近似进行计算,发现三种碱金属离子均更趋向于吸附在g-C3N4片层内的大空洞中央位置(F位置)。对于碱金属与g-C3N4形成的n型Schottky结,通过能带结构和功函数的计算,...
具有可调能带结构和电荷转移特性的叶脉状g-C3N4的合成及其选择性光催化产H2O2的研究 石墨碳氮化物(g-C3N4)在光催化制备H2O2领域表现出潜力,但存在可见光吸收范围有限、光生电荷分离效率低等缺点,普通的g-C3N4产H2O2效率过低。元素掺杂和缺陷工程作为半导体光催化剂的常用修饰手段,可通过改变能带结构及局部电子云密度的途...
通过紫外可见漫反射图片研究了所制备材料的光吸收能力,发现优化后的g-C3N4不仅吸收边发生了红移,还出现了一个新的吸收带。该吸收带源自于氮缺陷位点的孤对电子的跃迁。结合漫反射光谱的换算和XPS价带谱,作者确认了所制备材料的能带结构,发现优化后的g-C3N4导带位置呈下移趋势,而价带位置基本保持不变。