结合漫反射光谱的换算和XPS价带谱,作者确认了所制备材料的能带结构,发现优化后的g-C3N4导带位置呈下移趋势,而价带位置基本保持不变。 ▲图4.(a)普通g-C3N4,(b)缺陷g-C3N4及(c)硼掺杂和缺陷共修饰g-C3N4的DFT模拟DOS图。 作者通过对不同结构模型的g-C3N4进行密度泛函理论计算,发现缺陷位点和硼掺杂都能引起g-...
碱金属修饰g-C3N4的能带结构调控与载流子迁移过程.ppt,碱金属修饰g-C 3 N 4 的能带结构调控与载流子迁移过程
文档介绍:碱金属修饰g-C 3 N 4 的能带结构调控与载流子迁移过程祝林,马新国,刘娜,徐国旺,黄楚云1 湖北工业大学理学院,武汉430068 2 湖北工业大学太阳能高效湖北省协同创新中心,武汉430068沿着垂直g-C 3 N 4 (001)晶面方向的功函数物理化学学报,2016,32(10),2488-:...
然而,g-C3N4在实际应用中仍面临一些挑战,如可见光吸收不足、比表面积低、光生电子与空穴容易复合等,这些问题限制了其光催化性能的进一步提高。为了克服这些限制,研究者们开发了多种策略,包括元素掺杂、构建异质结、构建纳米片等。这些策略旨在改善g-C3N4的能带结构、增加比表面积、促进光生电子-空穴对的分离,从而...
采用平面波超软赝势方法研究了Li、Na、K三种碱金属离子修饰对g-C3N4能带结构和载流子迁移过程的影响。对建立的六种吸附构型分别采用广义梯度近似和局域密度近似进行计算,发现三种碱金属离子均更趋向于吸附在g-C3N4片层内的大空洞中央位置(F位置)。对于碱金属与g-C3N4形成的n型Schottky结,通过能带结构和功函数的计算,...
图1.普通块状g-C3N4(左)和叶脉状g-C3N4(右)的SEM图 (来源:Advanced Functional Materials) 作者通过扫描电镜对比观察了普通块状g-C3N4和本工作所制备g-C3N4的形貌结构,发现本工作所制备的g-C3N4表面形成了密集的叶脉状结构,且存在丰富的孔道结构。这种独特的结构能够显著提升g-C3N4的比表面积,暴露出更多的反应活性...
通过紫外可见漫反射图片研究了所制备材料的光吸收能力,发现优化后的g-C3N4不仅吸收边发生了红移,还出现了一个新的吸收带。该吸收带源自于氮缺陷位点的孤对电子的跃迁。结合漫反射光谱的换算和XPS价带谱,作者确认了所制备材料的能带结构,发现优化后的g-C3N4导带位置呈下移趋势,而价带位置基本保持不变。
摘要: 采用基于密度泛函理论的线性丸盒轨道原子球近似从头计算方法,研究了βC3N4,βSi3N4的能带结构,得到的能隙分别为:4.1751,5.1788和4.0279eV,对于 βC3N4,由于N的部分2p电子战报了非键轨道,禁带宽度较窄;对于β-Si3N4,Si的3d轨道对价带的影响很大. 展开 ...
摘要: 采用基于密度泛函理论的线性丸盒轨道原子球近似从头计算方法,研究了βC3N4,βSi3N4的能带结构,得到的能隙分别为:4.1751,5.1788和4.0279eV,对于 βC3N4,由于N的部分2p电子战报了非键轨道,禁带宽度较窄;对于β-Si3N4,Si的3d轨道对价带的影响很大. 展开 ...