MCZ法在生产高品质大直径硅锭上已成为主要方法。 FZ法与CZ、MCZ法相比,去掉了坩埚,因此没有坩埚带来的污染, 能拉制出更高纯度、 无氧的高阻硅,是制备高纯度,高品质硅锭,及硅锭提存的方法。 但因存在熔融区因此拉制 硅锭的直径受限。FZ法硅锭的直径比 CZ、MCZ法小得多。
MCZ磁控直拉法,在 CZ法单晶炉上加一强磁场,高传导熔体硅的流动因切 割磁力线而产生洛仑兹力, 这相当于增强了熔体的粘性, 熔体对流受阻。 能生长 无氧、均匀好的大直径单晶硅棒。设备较直拉法设备复杂得多,造价也高得多, 强磁场的存在使得生产成本也大幅提高。 FZ 悬浮区熔法,多晶与单晶均由夹具夹着,由高频...
The dose-response curves of both diodes are quite linear with charge sensitivities better than 0.55 渭C/Gy and 0.68 渭C/Gy to FZ and MCz devices. These results show that MCz diode is more sensitive than FZ diode.doi:10.1063/1.3608963T.C. dos Santos...
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百度试题 题目CZ法提单晶的工艺流程。说明CZ法和FZ法。比较单晶硅锭CZ、MCZ和FZ三种生长方法的优缺点。相关知识点: 试题来源: 解析反馈 收藏
【简答题】比较硅单晶锭CZ、MCZ和FZ三种生长方法的优缺点? 答案:CZ法工艺成熟可拉制大直径硅锭,但受坩锅熔融带来的O等杂质浓度高,存在一定杂质分布,因此,相对于MCZ和FZ法,生长的硅... 点击查看完整答案手机看题 你可能感兴趣的试题 问答题 【简答题】从短期看,太阳能电池的发展趋势怎样? 答案:今后发展的重点...
百度试题 题目CZ法、MCZ法拉单晶时必须有籽晶;而FZ法拉单晶时不需要籽晶。 A.正确B.错误相关知识点: 试题来源: 解析 B 反馈 收藏
24.5% efficiency PERT silicon solar cells on SEH MCZ substrates and cell performance on other SEH CZ and FZ substrates High-efficiency PERL (passivated emitter, rear locally diffused) and PERT (passivated emitter, rear totally diffused) silicon solar cells have been fabrica... J Zhao,A Wang,MA...
fzwixjrmczwwednvkkbt 1 0 2023-12-26 03:15:19 未经作者授权,禁止转载 您当前的浏览器不支持 HTML5 播放器 请更换浏览器再试试哦~点赞 投币 收藏 分享高梨康治-1 (者思范Remix / 者思范Remix remix) 崩坏:星穹铁道创作者激励计划 游戏 网络游戏ww...