MCZ法是在CZ技术基础上发展起来的, 生长的单晶硅质量更好, 能得到均匀、低氧的 大直径硅锭。但 MCZ设备较CZ设备复杂得多,造价也高得多,强磁场的存在使得生产成 本也大幅提高。MCZ法在生产高品质大直径硅锭上已成为主要方法。 FZ法与CZ、MCZ法相比,去掉了坩埚,因此没有坩埚带来的污染, 能拉制出更高纯度、 无...
凝、杂质蒸发,以及坩埚污染影响大,因此,直拉法生长的单晶硅掺杂浓度的均 匀性较差。 MCZ磁控直拉法,在 CZ法单晶炉上加一强磁场,高传导熔体硅的流动因切 割磁力线而产生洛仑兹力, 这相当于增强了熔体的粘性, 熔体对流受阻。 能生长 无氧、均匀好的大直径单晶硅棒。设备较直拉法设备复杂得多,造价也高得多, 强...
MCZ法是在CZ技术基础上发展起来的,生长的单晶硅质量更好,能得到均匀、低氧的大直径硅锭。但MCZ设备较CZ设备复杂得多,造价也高得多,强磁场的存在使得生产成本也大幅提高。MCZ法在生产高品质大直径硅锭上已成为主要方法。 FZ法与CZ、MCZ法相比,去掉了坩埚,因此没有坩埚带来的污染,能拉制出更高纯度、无氧的高阻硅,...
MCZ法是在CZ技术基础上发展起来的,生长的单晶硅质量更好,能得到均匀、低氧的大直径硅锭。但MCZ设备较CZ设备复杂得多,造价也高得多,强磁场的存在使得生产成本也大幅提高。MCZ法在生产高品质大直径硅锭上已成为主要方法。 FZ法与CZ、MCZ法相比,去掉了坩埚,因此没有坩埚带来的污染,能拉制出更高纯度、无氧的高阻硅,...
比较硅单晶锭CZ,MCZ和FZ三种生长方法的优缺点。答:CZ直拉法工艺成熟,可拉出大直径硅棒,是目前采用最多的硅棒生产方法。但直拉法中会使用到坩埚,而坩埚的使用会带来污染