近日,公司首台国产碳化硅(SiC)外延膜厚测量FTIR设备Eos 200Lite正式交付客户。 FTIR是一款利用红外光谱经傅里叶变换来分析各种外延层厚度以及元素浓度的测量设备,可用于测量一代半导体(硅外延片)、二代半导体(砷化镓、磷化铟衬底外延)、三代半导体(碳化硅、氮化镓外延片)、分子束外延(MBE)等的外延层厚度,光刻胶厚度及...
近日,公司首台国产碳化硅(SiC)外延膜厚测量FTIR设备Eos 200Lite正式交付客户。 FTIR是一款利用红外光谱经傅里叶变换来分析各种外延层厚度以及元素浓度的测量设备,可用于测量一代半导体(硅外延片)、二代半导体(砷化镓、磷化铟衬底外延)、三代半导体(碳化硅、氮化镓外延片)、分子束外延(MBE)等的外延层厚度,光刻胶厚度及...