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FS33MR12W1M1H_B11 1200 V CoolSiC™ MOSFET六单元模块 综述 图表 指标参数 文件 订单 培训 支持 1200 V和33 mΩ EasyPACK™ 1B CoolSiC™ MOSFET六单元模块,采用压接技术. 特征描述 宽反向安全工作区 超低杂散电感 宽栅极驱动器电压范围 压接式引脚 优势 最高栅极-源极间电压扩展至+23 V和...