PT(punch through)：最“古老”的IGBT技术，在1980~1990年间占据主导地位，英飞凌第一代IGBT就是采用的PT技术 NPT(non-punch through): NPT-IGBT由德国西门子公司于1987年推出，为上世纪90年代的主流产品。英飞凌第二代IGBT采用NPT技术 FS（field stop）: 2000年，西门子公司研制出新的IGBT结构，fieldstop-IGBT(FS...
FS:FS-IGBT具有N+缓冲层,从而所需的N-基区较薄,这一点类似于PT-IGBT, 同时FS-IGBT具有较低的背P+发射效率,这一点类似于NPT-IGBT。 5.拖尾电流 PT:PT-IGBT结构中高浓度厚发射区的存在一方面增大了发射效率,增加了基区存储过剩载流子数目,另一方面器件关断时,空穴无法从背P+区流出而只能在n-基区靠自身复合...
FS-IGBT: FS-IGBT具有N+缓冲层,从而所需的N-基区较薄,这一点类似于PT-IGBT, 同时FS-IGBT具有较低的背P+发射效率,这一点类似于NPT-IGBT 拖尾电流 PT: PT-IGBT结构中高浓度厚发射区的存在一方面增大了发射效率,增加了基区存储过剩载流子数目,另一方面器件关断时,空穴无法从背P+区流出而只能在n-基区靠自身...
目前国内市场上使用较多的 IGBT 芯片为 PT+Planar，而本文提及的 IGBT 芯片结构为 FS+Trench，结构图如图 1所示。功率半导体的发展趋势为小体积、高电流密度、低成本。因此，FS+Trench 结构的 IGBT 是未来的发展方向，但是FS+Trench 结构生产出的薄晶圆非常柔韧，且随着晶圆变薄，更容易出现晶圆的翘曲和变形，导致...
芯片结构的变化对封装行业提出了新的挑战,尤其是铝线键合工艺。本文主要介绍了针对沟槽型场截止结构的绝缘栅双极型晶体管(Trench-FS IGBT)的键合技术。通过多次验证实验,深入研究铝线键合工艺对器件耐压及漏电特性的影响,并得出结论:器件的可靠性可以通过键合第一焊点分布、焊线参数及焊线线径大小三个因素来改善。
FS IGBT是在NPT IGBT基础上开发的IGBT,其内部分集电极层结构及电场分布如图1所示。其设计目的是为了尽可能地降低IGBT的总损耗。由于增加了电场终止层,所以N-型衬底就不像NPT IGBT那样厚,可以稍微薄一些。在反向阻断时,如果电压较高,电场渗入到N-型衬底后线性降低,电场终止层可以截止剩余的电场这种情况下,形成了类似...
FS-IGBT具有N+缓冲层,从而使所需的N-基区较薄,类似于PT-IGBT。同时,FS-IGBT具有较低的背面P+发射效率,类似于NPT-IGBT。 5.拖尾电流 在PT-IGBT结构中,由于存在高浓度厚发射区,一方面增加了发射效率并增加了基区存储过剩载流子的数量。然而,在器件关断时,空穴无法从背P+区域流出,只能在N-基区内自行复合消失...
FS100R12KT4G1200 V 100 A 六单元 IGBT模块 EconoPACK™ 31200 V, 100 A sixpackIGBT modulewith fast TRENCHSTOP™ IGBT4, Emitter Controlled 4 Diode and NTC. Also available as variation with PressFIT mounting technology:FS100R12KT4G_B11. ...
局域寿命控制FS结构IGBT谢刚Is车泽宏。2’,王字。,摩仲平1,g沛。,任艮彦1laf科技人学电子薄瞠与奥成器件国家重点实验室.成都610054:2摸扭..
本文就现有的IGBT元器件进行分析,并分析FS-IGBT芯片的背面工艺,为芯片工艺制作提供技术支撑。 1工作原理 FS-IGBT是在传统的NPT-IGBT结构基础上衍生而来,其结构见图1所示。传统NPI-IGBT结构制作工艺是将n型单晶硅转化为n漂移区中作为衬底,随后使用P离子后形成了nFS层。传统NPI-IGBT集成过程中掺杂浓度比较高,从而导致...