IR 场效应管 IRFR120NPBF MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK IRFR120NPBF 64800 IR D-PAK 新批号 ¥1.0000元1~499 个 ¥0.8000元500~999 个 ¥0.7000元>=1000 个 深圳市赛尔通科技有限公司 4年 查看下载 立即询价 查看电话 QQ联系 IRFR120NTRPBF 场效应管 INFINEON/英飞凌 封装TO-252 批号22+ ...
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P-通道功率MOSFET-英飞凌infineon官网 IKW30N60T| IGBT 单管 IHW30N160R5| IGBT 单管 1EDI20I12AF| 栅极驱动器IC-驱动芯片-英飞凌(Infineon)官网 FP150R12N3T7| IGBT模块-英飞凌(Infineon)官网 IR21364S| 栅极驱动器IC-驱动芯片-英飞凌(Infineon)官网 ...
LR7843 MOS模块MOSFET控制模块场效应模块 模块功能: 通过去耦隔离,控制信号和受控设备被隔离,这极大地增加了干扰。 高电平启动,低电平停止,PWM速度调节 它广泛用于电动机和停止,电磁阀和其他支流装置的控制 有多种规格的MOS管可供选择, 例如, FR120N:100 v 9.4 A LR7843:30 v 161 a AOD4184:40 v 50 a,...
产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-252-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 9.4 A Rds On-漏源导通电阻: 210 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V Qg-栅极电荷...
隔离MOSFET 展开参数 全部3个规格型号 规格型号 电源电压 电源电流 处理器 处理器核心数 功率 封装 价格 (元) 库存 进货数量 FR120N 100V 9.4A FR120N 100V 9.4A FR120N 100V 9.4A FR120N 100V 9.4A FR120N 100V 9.4A 5V 隔离MOSFET 0
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