IRFR120NTRPBF场效应管的工作原理是其引人注目的特点之一。在工作时，当施加在栅极上的电压达到一定阈值时，IRFR120NTRPBF的沟道形成并导通。这种导通状态允许电流从漏极流向源极，实现对电流的控制。IRFR120NTRPBF的独特之处在于其响应速度快，导通电阻低，使其在电子领域中的应用更为广泛。2. 实际应用场景 电
FR120N-VB 99999 VBsemi/微碧半导体 TO252 24+ ￥1.8000元1~-- PCS 深圳市微碧半导体有限公司 2年 查看下载 立即订购 查看电话 QQ联系 微碧半导体FR120NC-VB TO-252封装增强型场效应管MOS管电源芯片 FR120NC-VB 100000 VBsemi/微碧半导体 TO252 23+ ￥1.8100元1~499 PCS ￥1.5800元500~999 PC...
隔离MOSFET MOS管 场效应管模块 替代继电器FR120NLR7843 D4184 深圳市全球易科技有限公司10年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥1.30成交315PCS 隔离MOSFET MOS管 场效应管模块 替代继电器FR120NLR7843 D4184 深圳市豪华世纪科技有限公司2年 ...
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irfr120n参数 IRFR120N的参数如下: 额定电压为100V。 额定电流为9.10A。 极性为N-Channel。 漏源击穿电压为100V(min)。 连续漏极电流为9.40A。 上升时间为23.0ns。 封装参数为TO-252。©2022 Baidu |由 百度智能云 提供计算服务 | 使用百度前必读 | 文库协议 | 网站地图 | 百度营销 ...
● Surface Mount (IRFR120N) ● Straight Lead (IRFU120N) ● Advanced Process Technology ● Fast Switching ● Fully Avalanche Rated 类似零件编号 - IRFR120N 制造商部件名数据表功能描述 Inchange Semiconductor ...IRFR120N 335Kb/2PN-Channel MOSFET Transistor ...
ParametricsIRFR120N Budgetary Price €/1k0.18 ID(@25°C)max9.4 A ; 9.4 A Moisture Sensitivity Level1 MountingSMD Operating Temperatureminmax-55 °C 175 °C Ptotmax39 W PackageDPAK (TO-252) PolarityN QG(typ @10V)16.7 nC ; 16.7 nC ...
FR120N 是场效应管。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～...
IRFR120NTRPBF参数 额定功率:39 W 通道数:1 针脚数:3 漏源极电阻:0.21 Ω 极性:N-CH 耗散功率:48 W 阈值电压:4 V 漏源极电压(Vds):100 V 漏源击穿电压:100 V 连续漏极电流(Ids):9.4A 上升时间:23 ns 输入电容(Ciss):330pF @25V(Vds) 额定功率(Max):48 W 下降时间:23 ns 工作温度(Max):...
IRFR120NTRPBF由Infineon设计生产。IRFR120NTRPBF封装/规格:配置/单路:阈值电压/4V@250µA:漏极电流/9.4A:晶体管类型/N沟道:功率耗散/48W:额定功率/48W:充电电量/25nC:反向传输电容Crss/54pF:栅极源极击穿电压/±20V:击穿电压/100V:极性/N-沟道:元件生命周期/Active:存储温度/-55℃~+175℃:引脚数/3...