IRFR1205TRPBF 12000 INFINEON 标准封装 24+ ￥25.0000元1~-- 个 深圳市嘉宁国安电子技术有限公司 3年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 IRFR1205TRLPBF 场效应管 Infineon/英飞凌 封装DPAK 批次23+ IRFR1205TRLPBF 12000 Infineon/英飞凌 DPAK 23+ ...
IRFR1205TRPBF 贴片TO252 FR1205 N沟道场效应管 55V 44A 深圳市福田区新旭耀微电子商行8年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.58 全新贴片IRFR1205TRPBF丝印FR1205场效应管44A55V封装TO-252现货 深圳市福田区华博泰微电子经营部10年
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FR1205N-VB增强型场效应管TO-252封装微碧半导体大功率MOS管芯片 FR1205N-VB 100000 VBsemi/微碧半导体 TO252 23+ ￥2.0400元1~499 PCS ￥1.9100元500~999 PCS ￥1.8700元1000~-- PCS 深圳市微碧半导体有限公司 4年 查看下载 立即订购 查看电话 QQ联系 ...
全新原装 质量保证 IRFR1205TRPBF IRFR1205 FR1205 贴片 TO-252 深圳市华尔微盛科技有限公司7年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥1.88 原装正品 IRFR1205TRPBF TO-252-3 N沟道 55V/44A 贴片MOSFET 深圳市智恩普半导体有限公司9年 月均发货速度:暂无记录 ...
零件状态 过期 FET类型 N沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源极电压(Vdss) 55V 功率耗散(最大值) 107W(Tc) 工作温度 -55°C~175°C(TJ) 安装类型 表面贴装(SMT) 供应商器件封装 D-Pak 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63 可售卖地 全国 型号 IRFR1205 技术参数 ...
型号: FR1205-VB 丝印: VBE1638 品牌: VBsemi 参数: N沟道, 60V, 45A, RDS(ON) 24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V); 1.8Vth (V) 封装: TO252 详细参数说明和应用简介: 1. 沟道类型:N沟道 - 这表示这是一种N沟道MOSFET,通常用于电子设备中,特别是需要控制正电压电源的应用。
IRFR1205TRPBF场效应管的工作原理基于其N沟道MOS结构。当在栅极上施加正电压时，形成漏极到源极的导通通道，电子流动使得场效应管处于导通状态。反之，在负电压作用下，栅极电场减弱，导通通道关闭，使得电流无法流通，进入截止状态。IRFR1205TRPBF的工作原理在于通过栅极电压的控制实现对电流的精确调节，使得其在电子设计...
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发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 三极管 、 功率开关晶体管 商品关键词 进口原装IRFR1205FR1205场效应管三极管、 IR 商品图片 商品参数 品牌: IR 数量: 13138 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作温度: 90C 最小电源电压: 3.5V 最大电源电压: 7.5V 长度:...