闪速存储器(Flash Memory)主要特点是 A.一旦写入信息就固定不变B.既可在不加电的情况下长期保存信息,又能在线进行快速擦除与重写C.存取时间的长短与信息所在存
F.lash Memory也称为“闪速存储器”,有时直接称之为“Flash”。Flash既有ROM非易失性的特点,又能够在线擦除和重写,既可读又可写,同时有很高的存取速度,具有集成度高,价格低,耗电少等优点。目前存取速度已突破了30ns,掉电后信息可以保持10年。F.lash的编程方法与E2PROM相同,28F040的编程写入过程采用字节...
Flash Memory集合了其它类非易失性存储器的特点: >>与EPROM相比较,Flash存储器具有明显的优势一一在系统电可擦除和可重复编程,而不需要特殊的高电压(某些第一代闪速存储器也要求高电压来完成擦除和/或编程操作)。 >>与EEPROM相比较,Flash存储器具有成本低、密度大的特点。其独特的性能使其广泛地运用于各个领域,...
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flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。
关于闪速存储器(FLASH)的特点,错误的是?A.制造成本低于 DRAMB.使用方便C.读写的灵活性和较快的访问速度D.断电后丢失信息
flash memory是嵌入式系统中重要的组成部分,它在嵌入式系统中的功能可以和硬盘在PC中的功能相比,它们都是用来存储程序和数据的,而且可以在掉电的情况下保存数据使其不会丢失。 1、flash memory的种类(NOR和NAND型) flash memory(闪速存储器)作为一种安全、快速的存储体,具有体积小、容量大、成本低、掉电数据不丢...
闪速存储器(Flash Memory)又称闪存(Flash),是一种非易失性存储器,用存储单元阈值的高低表示数据。浮栅(Floating Gate )场效应管(见图5-80)是Flash存储单元采用的主要技术。浮栅上的电荷决定了场效应管的阈值:编程通过量子隧道效应将电子注入浮栅阈值增大,代表逻辑“0”;擦除则相...
可作为系统中可靠保存数据的存储器。 Flash Memory是新型的半导体存储器,可实现大规模电擦除,擦除功能可迅速清除整个存储器的所有内容;可高速编程;闪速存储器可重复使用,适用于文件需要经常更新的可重复编程应用中。对于需要实施代码或数据更新的嵌入性应用是一种理想的存储器。