下列关于闪存(Flash Memory)的叙述中,错误的是___。 A. 信息可读可写,并且读、写速度一样快 B. 存储单元由MOS管组成,是一种半导体存储器 C
A.信息可读可写,并且读、写速度一样快 B.存储元由MOS管组成,是一种半导体存储器 C.掉电后信息不丢失,是一种非易失性存储器 D.采用随机访问方式,可替代计算机外部存储器 你可能感兴趣的试题 单项选择题 某计算机存储器按字节编址,采用小端方式存放数据。假定编译器规定int和short型长度分别为32位和16位,并且...
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下列关于存储速度的排列,从快到慢,顺序正确的是()A.缓存( Cache )→ 主存 → 闪存( flash memory ) →光盘B.主存 → 缓存( Cache )→ 闪存( flash memory ) →光盘C.主存 → 缓存( Cache )→ 光盘 → 闪存( flash memory )D.缓存( Cache )→ 主存 → 光盘 → 闪存( flash memory) 相关知识点:...
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16.下列关于闪存(Flash Memory)的叙述中,错误的是___. A.信息可读可写,并且读、写速度一样快B.存储元由 MOS管组成,是一种半导体存储器C.掉电后信息不丢失,是一种非易失性存储器D.采用随机访问方式,可替代计算机外部存储器 答案 A 多做几道 17.下列关于RISC的叙述中,错误的是___。A.RISC 普遍采用...
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下列关于闪存(Flash Memory)的叙述中,错误的是 A.信息可读可写,并且读、写速度一样快B.存储元由MOS管组成,是一种半导体存储
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