百度试题 题目(2013年高考)闪速存储器(Flash Memory)本质上属于 () A.ROMB.EEPROMC.EPROMD.PROM相关知识点: 试题来源: 解析 B 反馈 收藏
百度试题 题目闪速存储器(Flash Memory)属于ROM类型 A.正确B.错误相关知识点: 试题来源: 解析 A 反馈 收藏
以下关于闪速存储器(Flash Memory)的描述,不正确的是 。A.闪速存储器(Flash Memory),本质上属于EEPROMB.由于ROM 不易更改的特性让更新资料变得相当麻烦,因此就有了 Flash Memory 的发展C.Flash Memory 改写电压较低,使用安全可靠、速度快、功耗低D.Pentium 以上档次主
闪速存储器(Flash Memory)又称闪存(Flash),是一种非易失性存储器,用存储单元阈值的高低表示数据。浮栅(Floating Gate )场效应管(见图5-80)是Flash存储单元采用的主要技术。浮栅上的电荷决定了场效应管的阈值:编程通过量子隧道效应将电子注入浮栅阈值增大,代表逻辑“0”;擦除则相...
(2013年高考)闪速存储器(Flash Memory)本质上属于 ()A.ROMB.EEPROMC.EPROMD.PROM的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具.一键将文档转化为在线题库手机刷题,以提高学习效率,是学习的生产力工具
A new flash memory array having memory cells (41a, 40b) of the array, each memory cell having a plurality of terminals of the floating gate memory transistor. 该存储器单元(40a,40b)配置成多行和多列,用字线连接相同行中的存储器单元. The memory unit (40a, 40b) arranged in a plurality of ...
下列有关闪速存储器Flash Memory的特点说法错误的是()。 A.改写电压低 B.使用安全可靠 C.速度快 D.功耗低 点击查看答案手机看题 你可能感兴趣的试题 单项选择题 关于Cache,下列说法中错误的是()。 A.其内容是RAM中部分存储单元内容的副本 B.一般采用动态随机读写半导体存储器件(DRAM) C.不能增加主存容量 D...
aCommitment of the fool really is a liar to say 傻瓜的承诺真正地是说的说谎者[translate] ano body can be trust 身体不可以是信任[translate] awhen the receivable is settled outright 当应收被安定彻底[translate] aThis makes flash memory faster. 这使闪存更加快速。[translate]...
1) flash memory 闪速存储器 1. Application offlash memoryin smart instruments; 闪速存储器在智能仪器中的应用 2. Generation mechanism of stress induced leakage currentinflash memorycell; 闪速存储器中应力诱生漏电流的产生机理 3. Study of the hot carrier reliability of the Flash Memory; ...
4K byte Flash Flash memory 翻译结果5复制译文编辑译文朗读译文返回顶部 4K byte Flash Flash memory; 相关内容 aUsing acetic acid and formic Using acetic acid and formic [translate] a來由 Reason [translate] aThey thought that there must be something wrong with their TV set. (201112 正在翻译,请等待...