最开始用stm32的flash保存数据的方法都是用原子的例程,STM32F1的话,原子的方法大概是创建一个1K或者2K的缓存,修改数据的时候,先把该扇区的所有数据写到该缓存,然后查看是否需要擦除整个扇区,一般在一个地方写的话,必须要擦除,要想不擦除,就需要一个变量记录下一次要写的地址,和数据一块保存。STM32F4的话,因...
1.启动Edge Animate,创建一个新项目blackfriday,设置stage大小为640*1136; 点击菜单“File->Import”,或者快捷键Ctrl+I / Command+I,来导入smurf_sprite.png到舞台。在舞台上选中导入的图片,在左边栏Position and Size栏目下,设定其X坐标值=160px,y坐标值为330px,保证第一个smurf的位置在舞台最左侧并垂直居中。...
{flash_erase(FLASH_SYSLOG_PARA_ZONE, SECTOR_BASE(i), FLASH_BLOCK_4K);addr += FLASH_SECTOR_SIZE;}else{break;}}while(addr < flash_tmp->end_address);} remainbyte = FLASH_SECTOR_SIZE - (start_addr % FLASH_SECTOR_SIZE);if(remainbyte > len) {remainbyte = len;}while(1) {flash_write...
5. **esptool 的速度**：您提到 esptool 的速度要快得多。这可能是因为 esptool 优化了擦除操作，...
26 FLASH_Status FLASH_EraseSector(uint32_t FLASH_Sector, uint8_t VoltageRange) 27 { 28 uint32_t tmp_psize = 0x0; 29 FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE; 30 31 /* Check the parameters */ 32 assert_param(IS_FLASH_SECTOR(FLASH_Sector)); ...
/* The buffer that write or erase sector data */ static uint8_t Flash_EE_Ram_Buffer[FLASH_SECTOR_SIZE]; 这个const的数组,其实在代码中并没有任何作用,它的目的就是占据这块Flash空间,而不让编译器链接时,把代码链接到这块区域,因为这块区域是要用于用户存储数据的,在这个过程中可能会被擦除。
Device 0: nand0, sector size 128 KiB Page size 2048 b OOB size 64 b Erase size 131072 b subpagesize 512 b options 0x00000000 bbt options 0x00020000 可以通过nand bad 命令读取对应的坏块 同时在fsbl的驱动中也有nand驱动 可以在nand.c中找到对应驱动代码 ...
--erase-all : 清除全部資料 --override: 指定EPCS的型式及磁區大小 ---nios2-flash-override.txt 內容如下--- [EPCS-202011] # EPCS1N (lead-free) sector_size = 32768 sector_count = 4 [EPCS-202013] # EPCS4N (lead-free) sector_size = 65536 sector...
GP_SIZE_MULT_x_1 GP_SIZE_MULT_x_0GPPx 的容量计算公式如下: Size = (GP_SIZE_MULT_x_2 * 2^16 + GP_SIZE_MULT_x_1 * 2^8 + GP_SIZE_MULT_x_0 * 2^0) * (Write protect group size) Write protect group size = 512KB * HC_ERASE_GRP_SIZE * HC_WP_GRP_SIZE ...
Erase retry仅支持单个sector的擦写。 L系列因为只有一个Block的缘故,Block Erase和Chip Erase并没有什么区别,也不支持erase retry功能,另外L系列的Dflash实际和Pflash属于相同的block,所以对Dflash进行擦写操作时候,也不支持对PFlash进行读操作。因此用Dflash模拟EEPROM的时候还是需要禁用系统中断的。