在FLASH_CR 寄存器中,将“激活页擦除寄存器位 PER ”置 1; 用FLASH_AR 寄存器选择要擦除的页; 将FLASH_CR 寄存器中的“开始擦除寄存器位 STRT ”置 1,开始擦除; 等待BSY 位被清零时,表示擦除完成。 3.1.3 写入数据 擦除完毕后即可写入数据,写入数据的过程并不是仅仅使用指针向地址赋值,赋值前还需要配置...
1、检查FLASH_SR 寄存器中的BSY 位,以确认当前未执行任何Flash 操作 2、在FLASH_CR 寄存器中将SER 位置1 并选择要擦除的扇区(SNB)(主存储器块中的12个扇区之一) 3、将FLASH_CR 寄存器中的STRT 位置1 4、等待BSY 位清零 批量擦除步骤 1、检查FLASH_SR 寄存器中的BSY 位,以确认当前未执行任何Flash 操作 2...
由于内部 FLASH 空间主要存储的是应用程序,是非常关键的数据,为了防止误操作修改了这些内容,芯片复位后默认会给控制寄存器 FLASH_CR 上锁,这个时候不允许设置 FLASH 的控制寄存器,从而不能修改 FLASH 中的内容。 所以对 FLASH 写入数据前,需要先给它解锁。解锁的操作步骤如下: 往FPEC 键寄存器 FLASH_KEYR 中写入K...
1.检查FLASH_SR寄存器的BSY位,以确认没有其他正在进行的编程操作。 2.解锁FLASH_CR寄存器的OPTWRE位。即打开写使能。 3.设置FLASH_CR寄存器的OPTPG位为1。选择编程操作。 4.写入要编程的半字到指定的地址。启动编程操作。 5.等待FLASH_SR寄存器的BSY位变为0,表示操作完成。 6.查询FLASH_SR寄存器的EOP位,EOP...
选择字节寄存器(FLASH_OBR) 写保护寄存器(FLASH_WRPR) 其中FPEC键寄存器共有3中键值:PDPRT=0x000000A5; KEY1=0x45670123; KEY2=0xCDEF89ABSTM32复位后,FPEC模块是被保护的,不能写入FLASH_CR寄存器;通过写入特定的序列到FLASH_KEYR寄存器可以打开FPEC模块(即写入KEY1和KEY2),只有在写保护被解除后,才能操作相...
STM32 复位后,FPEC 模块是被保护的,不能写入 FLASH_CR 寄存器;通过写入特定的序列到 FLASH_KEYR 寄存器可以打开 FPEC 模块,只有在写保护被解除后,我们才能操作相关寄存器。 STM32 闪存的编程每次必须写入 16 位(不能单纯的写入 8 位数据哦!),当 FLASH_CR 寄存器的 PG 位为’1’时,在一个闪存地址写入一...
(2) 将 FLASH_CR 寄存器中的 “激活编程寄存器位 PG” 置 1; (3) 针对所需存储器地址(主存储器块或 OTP 区域内)执行数据写入操作; (4) 等待 BSY 位被清零时,表示写入完成。 1.3、查看工程内存的分布: 由于内部 FLASH 本身存储有程序数据,若不是有意删除某段程序代码,一般不应修改程序空间的内容,所以在...
(2) 将 FLASH_CR 寄存器中的 “激活编程寄存器位PG” 置 1; (3) 向指定的FLASH存储器地址执行数据写入操作,每次只能以16位的方式写入; (4) 等待 BSY 位被清零时,表示写入完成。 48.3.查看工程的空间分布¶ 由于内部FLASH本身存储有程序数据,若不是有意删除某段程序代码,一般不应修改程序空间的内容, 所...
得到数据后,函数开始对FLASH_OPTKEYR寄存器写入解锁码,然后操作FLASH_CR寄存器的OPTPG位准备写入,写入的时候它直接往指向选项字节的结构体OB赋值, 如OB->WRP0 =WRP0_Data,注意在这部分写入的时候,根据前面的运算,可知WRP0_Data中只包含了WRP0的内容, 而nWRP0的值为0,这个nWRP0的值最终会由芯片自动产生。 代...
闪存地址寄存器(FLASH_AR) 选择字节寄存器(FLASH_OBR) 写保护寄存器(FLASH_WRPR) STM32 复位后,FPEC 模块是被保护的,不能写入 FLASH_CR 寄存器;通过写入特定的序列到 FLASH_KEYR 寄存器可以打开 FPEC 模块,只有在写保护被解除后,我们才能操作相关寄存器。