查看参考手册，743的双bank flash是可以同时操作的，我的程序和数据都放在的bank1，在擦除bank2的...
双Bank切换图像 二.跳转APP机制 Flash配置为Dual bank mode(DBANK = 1),在Bank1的起始位置(0x0800 0000)放置Bootloader的中断向量表,在Bank2的其实位置(0x0804 0000)放置Bootloader的中断向量表。 正常情况下系统复位时会从Bank1启动,0x0800 0000对应为Bootloader复位向量,首先运行的代码为Bootloader。Bootloader跳转APP...
此外，未重排的wgmma布局内存合并性差且有bank conflicts。尽管TMA和L2缓存在如flash attention这类内核上能较好地掩盖这些问题，但要充分利用硬件，必须精心控制内存请求的合并和避免bank conflicts。尽管有这些问题，但这些指令对于充分利用H100是必不可少的。没有它们，GPU的潜在性能就损失了37%。共享内存 共享内存的...
STM32固件库中提供的FSMC的NOR Flash控制器操作固件,主要包括2个数据结构和3个函数。数据结构FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef对应时间参数寄存器FSMC_BTR和FSMC_BWTR的结构定义;FSMC_NORSRAMInitTypeDef对应特征配置寄存器FSMC_BCR的结构定义,并包含2个指向对应BANK的FSMC_BTR和FSMC_BWTR寄存器的FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef...
还有,你可能会看到一些其他的名词,比如:和扇区一个级别的SubSector,和块一个级别的Bank、Bulk等。 它们的区别 其实,从上面的描述,大家应该看出来它们的区别了。 用包含关系来描述Flash物理分区的话:芯片包含多个块,块又包含多个扇区,扇区又包含多个页,页包含多个字节。
这里的FLASH_BANK1_BASE也就是0x08000000。 load address (LMA):LMA就是我们要烧录程序的地址。对于bootloader,应该下载到0x08000000这个地址,而Application要下载到bootloader之后,在我们这个工程里是0x90000000(QSPI_BASE)。 bootloader烧录地址: 可以看到由于程序需要烧录在0x08000000,所以openocd擦除了0x08000000到0x080...
34. if (_ulFlashAddr >= ADDR_FLASH_SECTOR_0_BANK2) 35. { 36. EraseInitStruct.Banks = FLASH_BANK_2; 37. } 38. else 39. { 40. EraseInitStruct.Banks = FLASH_BANK_1; 41. } 42. 43. EraseInitStruct.Sector = FirstSector; ...
STM32内部Flash在进行写或擦除操作时,总线处于阻塞状态,此时读取Flash数据就会出现失败。【双BANK模式除外】 解决办法:通过标志判断写/擦除操作是否完成。 问题四:电压不稳定写入失败 处于外界干扰较大的环境,供电就有暂降的可能,而对STM32内部Flash进行操作时,如果低于特定电压就会出现编程失败。
正常情况下Flash Bank0位于低地址区域,FlashBank1位于高地址区域。正常启动时CPU从Bank0低地址区域开始执行程序,如图16所示。 在IAP流程中,如果判断待升级程序容量小于一个Bank容量,则可以使用这种快速在线升级方法,Boot-loader IAP程序放在Flash Bank0,将用户程序USER APP程序写入Flash Bank1中,然后写入更新标志位(标志...
一旦没有先写入 KEY1,再写入 KEY2,整个模块就会完全锁死,除非复位 加锁:设置FLASH_CR中的LOCK位锁住FPEC和FLASH_CR 就是控制寄存器里面有个 LOCK 位,我们在这一位写 1,就能重新锁住闪存了。 使用指针访问存储器 #define__IO volatile// 使用指针读指定地址下的存储器:uint16_tData = *((__IOuint16_t...