常说的RAM里的BANK是这样一种概念:是以地址低位来划分RAM,比如按照低2位划分,RAM就有4个BANK,在硬件上也划分四个单元,其意 义在于提高访存并行度,比如读取0x0000-0x0003地址的四个字节(比如取32位的int数据)时,四个bank就可以同时工作,在相同的时间内 准备好数据。 说得很简单,事实上还应该牵扯到支持burst读...
不同厂家的、不同类型存储器的划分方式不同,有的以页为最小单元,有的以扇区为最小单元,但大部分都以扇区为最小单元。 还有,你可能会看到一些其他的名词,比如:和扇区一个级别的SubSector,和块一个级别的Bank、Bulk等。 它们的区别 其实,从上面的描述,大家应该看出来它们的区别了。 用包含关系来描述Flash物理分...
使得IDE、J-Link Commander等软件可以通过J-Link DLL的Flash下载功能对设备的Flash编程,其属性值如下。 Name:指定Flash Bank的字符名称,仅为了可视化的用途,不是必须属性。例如Name=”SPI FLASH”。 BaseAddr:指定Flash Bank起始地址的十六进制值。J-Link DLL使用BaseAddr和MaxSize来决定调试器执行的哪些内存写操作需...
正常情况下Flash Bank0位于低地址区域,FlashBank1位于高地址区域。正常启动时CPU从Bank0低地址区域开始执行程序,如图16所示。 在IAP流程中,如果判断待升级程序容量小于一个Bank容量,则可以使用这种快速在线升级方法,Boot-loader IAP程序放在Flash Bank0,将用户程序USER APP程序写入Flash Bank1中,然后写入更新标志位(标志...
再有一种情况就是,如果单片机中有两个以上的Flash Bank,中断向量表在一个Bank中,那么擦写其它Bank时,中断响应是不受影响的。 参考资料: Program/Erase Cycling Endurance and Data Retention in NOR Flash Memories. Macronix STM32F030RM. ST
网络闪存组 网络释义 1. 闪存组 多闪存组(Flash Bank)结构支持在应用编程(IAP),运行某 bank 中的用户程序的同时可编程或擦除另一bank 中的内容。 www.elecfans.com|基于5个网页
1、逻辑Bank数量 DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计,目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步,因此起始的逻辑Bank就是8个,另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。 2、封装(Packages) 由于DDR3新增了一些功能,在引脚方面会有所增加,8bit芯片采用78球FBGA封装,16bit芯片采用96球FBGA...
FLASH的BANK和SECTOR分布如下图所示: EEPROM的BANK和SECTOR分布如下图所示: TMS570LC43X系列芯片支持对多个FLASH BANK进行编程和数据存储操作,支持对同时对不同的两个BANK进行读取或写入、擦除操作(即一个BANK正在被读取时,擦除另一个不同的BANK),支持ECC编码等。
本文选用的型号为S29GL512P,容量为512×64K字(总容量64 MB),扩展到NOR Flash控制器管理的BANK1的第2个子BANK。 3.2 STM32与S29GL512P的电路连接 S25GL512P可通过控制引脚BYTE选择对芯片的访问单位(字/字节),区别在于: ①对于芯片引脚DQ15,字模式时传送最高数据位D15;字节模式时传送最低地址A-1。
which has become the bank's biggest source of data and a way for it to interact and engage with its customers around the clock. This, in turn, is helping the bank to fulfill its bold mission, to improve the lifelong financial well-being of every customer, today, tomorrow, and far into...