双束系统可以利用SEM成像来解决这个问题,同时,原位取出技术比单束FIB取出技术更有优势,因为样品被固定在内部特殊的TEM 网格上,在取出过程中不会丢失。 图8 将电子透明薄片连接到特制的TEM网格上,原位取出电子透明薄片。a) 样品焊接到微型机械手顶端并准备取出的SE...
透射电镜作为材料表征的重要手段,不仅可以用衍射模式来研究晶体的结构,还可以在成像模式下得到实空间的高分辨像,即对材料中的原子成像,直接观察材料的微观结构。 由于TEM样品需要非常薄,电子才可以穿透,形成衍射图像。FIB的高效溅射可实现对样品的精细加工,因此FIB常用于TEM超薄样品的制备优化上。 下面我们来具体演示FIB...
将 FIB 专用的 TEM 载网竖直放入到专用样品台中，并在 FIB 中将载网倾转和样品同样的角度，缓慢上移至优中心处。移动纳米操作手使目标样品缓慢下降，轻轻贴到载网上，然后利用 GIS 系统在目标样品与 TEM 载网的接触点上沉积 Pt 并连接，连接牢固后利用离子束切割将操作手的针尖与目标样品进行断开，撤出针尖。05...
TEM常用功能随着集成电路向深亚微米尺寸发展,某些关键尺寸,已经精确到纳米甚至几埃,SEM的分辨率已经不能满足超细微结构特征描述要求,TEM已经成为现代IC失效分析实验室的日常观测工具。遗憾的是,聚焦离子束轰击样品表面对样品表面造成的不可避免的损伤,离子损伤引起的薄膜试样表面非晶化,减弱TEM观察时的衬度。现在先进的低...
基于此，FIB既能对纳米材料的指定位置进行截面处理，从而对内部结构进行SEM形貌分析，又能高效制备指定位置的TEM样品，是联系SEM和TEM之间的桥梁。近年来，受现代加工技术小型化发展趋势的影响，FIB技术日益被广泛应用到不同领域微纳结构的制造当中，并已成为微纳加工技术无法取代的最主要工艺之一。FIB的技术原理 FIB基本...
样品制备：在透射电子显微镜（TEM）和扫描电子显微镜（SEM）分析中，FIB是制备超薄样品截面的理想选择。三...
FIB-SEM制备TEM薄片流程 1. 样品定位与保护层沉积：使用SEM分析确定感兴趣的区域，并在目标微区内选定特征点。为保护样品表面，预先在表面沉积约1微米厚的Pt或C。2. 初步切割：在保护层两侧挖出凹槽，暴露目标样品，并通过调整样品台倾角和离子束继续切割，直至样品与母体仅一侧相连。3. 样品提取：使用纳米操作手...
FIB 制样诱导的非晶层的深度取决于射束能量、射束角度和被研磨的材料，通常用于减少 TEM 样品中的这种非晶层损伤有下列几种技术：1.气体辅助蚀刻：虽然提高了研磨速率，但是增加了结晶-非晶界面的粗糙度，这会进一步损害了 TEM 图像；2.低能量 FIB：在这些能量下蚀刻速率和位置的分辨率会受到影响，但是束能量的减少...
利用FIB技术制备TEM样品，首先需要将正极材料固定在透射载网上。然后，通过FIB系统对样品进行加工，逐渐将样品打薄至满足TEM观测要求。最后，将制备好的样品放入TEM中进行观测，便可以清晰地看到正极材料的形貌和晶格条纹。测试概念 高镍、钴层状氧化物等正极材料常掺杂Mn、Al、B等元素，掺杂后的正极材料可提高材料的...
其不仅可以制作常见的截面透射电子显微镜(TEM)薄片样品,还能根据不同的研发表征需求,对材料样品的表面进行平面加工制样。截面与平面TEM样品的区别截面TEM样品与平面TEM样品的主要区别在于观察面的方向。截面TEM样品的观察面是表面以下垂直的截面,主要用于研究材料内部的微观结构、界面特征以及缺陷分布等情况。例如,在半导体...