FF200R12KT3_E1200 V 200 A 共射级 IGBT模块 62 mm1200V 200A 共发射极IGBT模块,采用第三代快速沟槽/场终止IGBT。三级相位支路配置可以与1200 V 62 mm 双模块(例如,FF200R12KT3)结合使用。 特征描述 变频驱动的出色解决方案 通过UL/CSA 的 UL1557 E83336 认证 ...
英飞凌IGBT模块FF200R12KT3_E优势品牌参数 由表1可知由于FF300R12KT4饱和压降非常低,导通损耗很小,尽管开关损耗比较大,但在20kHz开关频率下,软开关模式中通态损耗占的比例更大,FF300R12KT4总损耗比FF300R12KS4小23.4%, 所以用同样的散热器,会使散热器温度降低,由于FF300R12KT4结到散热器的热阻比FF300R12KS4的...
FF200R12KT3_E 产品详情 Our well-known 62 mm 1200 V Common Emitter IGBT modules with fast trench/fieldstop IGBT3. 3-level phase leg configurations are possible in combination with our 1200 V 62 mm dual modules (e.g. FF200R12KT3). ...
品牌名称 Infineon(英飞凌) 商品型号 FF200R12KT3E 商品编号 C3198675 包装方式 袋装 商品毛重 1克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录IGBT管/模块 IGBT类型- 集射极击穿电压(Vces)1.2kV 耗散功率(Pd)1.05kW 属性参数值 栅极阈值电压(Vge(th))2.15V@15V,200A ...
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英飞凌(FF200R12KT3_E)特征描述: Tvj op = 150°C 符合RoHS 通过UL/CSA 的 UL1557 E83336 认证 英飞凌(FF200R12KT3_E)优势: 现有封装具有更高的电流能力,允许在相同的框架尺寸下增加逆变器输出功率 极高的功率密度 灵活性 出色的电气性能 高可靠性 ...
询价产品: FF200R12KT3_E igbt芯片 可控硅电源 英飞凌 型号齐全 *联系信息: 产品信息 联系方式 品牌 英飞凌/INFINEON 型号 FF200R12KT3_E 用途 S/开关 封装外形 螺丝型 材料 IGBT绝缘栅比极 相数 其他 控制方式 其他 主电路形式 其他 频率 高频 加工定制 否 导电沟道 其他 导电方式 其他 极间电容...
产品型号:FF200R12KT3_E 产品厂商:Infineon 产品价格:0 折扣价格:0 产品文档: 简单介绍: 德国/英飞凌igbt模块/驱动/代理商,专业销售英飞凌的功率IGBT模块FF200R12KT3_E的功能、参数、电路图、封装、引脚图、PDF资料。专业提供英飞凌(Infineon)IGBT模块以及相关配套产品(如瑞士Concept公司大功率IGBT驱动板,Epcos电容...
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产品型号:FF200R12KT3_E 产品厂商:英飞凌 产品文档: 简单介绍: 英飞凌IGBT模块:本公司供应英飞凌IGBT,Infineon(英飞凌)IGBT,Infineon,IGBT模块,该产品可使用在高频开关,高频炉,中频炉,焊机 变频器,感应加热,电源上的等 详情介绍: 英飞凌IGBT:北京固力通达特价供应FF200R12KT3_E英飞凌IGBT模块 ...