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FF1200R17KP4_B2 FF1200R17KP4_B21700 V 1200 A 双 IGBT模块 IHM1700 V,, 1200 A, 130mm dualIGBT modulewith soft-switching Trench/fieldstop IGBT4 and emitter controlled 3 diode. 特征描述 低V(cesat) 增大的二极管针对再生运行 4 kV 交流 1 分钟绝缘 ...
制造商编号 FF1200R17KP4_B2 制造商 Infineon(英飞凌) 唯样编号 A-FF1200R17KP4_B2 供货 自营 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 FF1200R17KP4_B2.pdf 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找...
产品型号:FF1200R17KP4_B2 产品厂商:Infineon 产品价格:0 折扣价格:0 产品文档: 简单介绍: 德国/英飞凌igbt模块/驱动/代理商,专业销售英飞凌的功率IGBT模块。可为您提供(FF1200R17KP4_B2)的功能、参数、电路图、封装、引脚图、PDF资料。关于英飞凌(Infineon)IGBT模块以及相关配套产品(如瑞士Concept公司大功率IGBT驱...
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制造商型号:FF1200R17KP4B2NOSA2 制造商: Infineon Technologies 产品类别:Active 商品描述:IGBT MODULE 1700V 1200A 详细说明:- 定价(未税) 数量单价总价 2816 库存数量:0 可立即发货发货时间:国内(1~2天)最小起订:2 单价:¥8总价:¥16 联系客服 ...
FF1200R17KP4B2NOSA2 系列: * 制造商 : Infineon Technologies IGBT 类型 : - 配置: - 电压- 集射极击穿(最大值) : - 电流- 集电极(Ic)(最大值) : - 功率- 最大值 : - 不同Vge,Ic 时的 Vce(on) : - 电流- 集电极截止(最大值) : -...
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