2019年三星正式量产首款商用的eMRAM(嵌入式磁随机存取存储器),采用三星的28FDS(28nm FD-SOI,耗尽型绝缘层上硅)工艺制造。2019年9月16日,三星电子高级副总裁Gitae Jeong在第七届上海FD-SOI论坛上表示,在下一阶段将会是18FDS技术的诞生。18FDS拥有更低的成本以及更低的功耗,性能可以增加35%,功耗降低50%。
【名词解释】FDSOI(完全耗尽型SOI) 意法半导体试制的集成了28nm工艺FDSOI晶体管的芯片(点击放大) 【日经BP社报道】FDSOI(Fully DepletedSiliconOnInsulator,完全耗尽型绝缘衬底覆硅)是有利于提高LSI速度和降低耗电量的新一代晶体管技术。与3D晶体管(FinFET)一样,将成为打破MOS晶体管微细化极限的方法。 在FDSOI晶体...
HKMG分为前栅工艺和后栅工艺,45nm及以前HKMG由前栅工艺,(多晶硅栅中嵌入高k介质和金属)技术取代了SiON作为栅氧化层。特征尺寸28nm及更小时,采用栅后工艺,(置换金属栅)。后栅工艺是先制作多晶硅临时栅和栅氧化层,在ILD完成之后刻蚀掉多晶硅临时栅和栅氧化层,由HKMG填充原来多晶硅栅极的位置(栅很小)。此工艺对台阶...
采用了body bias技术后,除了需要增加BB Gen外,静态时序分析阶段的timing signoff也会变得更加复杂(signoff corner会增加很多)。 下图为28nm HKMG(High-K Metal Gate)与22FDX两种不同工艺的功耗与频率量化对比图。橙色曲线为28nm HKMG,中间褐色那条曲线为22FDX(不做bias),最上面那条蓝色曲线为22FDX(采用正向bias)...
事实证明,28nm FDSOI使晶体管的静电特性比传统的体块技术好得多。28 nm FDSOI可以提供: 宽正向/反向体偏置范围和灵活的聚偏置(PB)范围,以权衡功率和性能。 性能和功能优于批量加工技术。 更好的抗辐射能力和SER。 对可变性不太敏感,因为没有通道掺杂。
FDSOI技术将首先应用于智能手机及平板电脑的SoC。意法半导体的合资子公司瑞士ST-Ericsson将在2012年内推出的28nm工艺SoC中采用该技术注2)。 注2)针对该SoC的技术详情已经在2012年12月10~12日于美国旧金山举行的“IEDM(InternationalElectronDevicesMeeting)2012”上公布。详见:【Altera或为其FPGA产品采用全耗尽型SOI技术...
FD-SOI工艺可以获得较高的performance(性能比FinFET肯定还是要差点,但是比28nm提高很多),较低的leakage,power,而且成本与28nm HKPG接近。 另外,目前国内正在扶持发展FD-SOI工艺技术,对于采用这个工艺制程的企业均给与大额的补贴。所以实际上FD-SOI的芯片流片费用相比28nm还会更便宜。
但如果从制成品的成本和性能来看,28nm FDSOI比28nm bulk CMOS晶圆(28nm或22nm)可提供多30-50%的性能,22nm FD-SOI又比14nm FinFET成品晶圆成本降低20-30%,但由于具备射频、体偏压和集成优势,又能够提供几乎相同的性能。从与FinFET技术对比而言,FDSOI当下更关注那些低功耗、性能灵活(能够从休眠模式到高速计算灵活...
FD-SOI工艺可以获得较高的performance(性能比FinFET肯定还是要差点,但是比28nm提高很多),较低的leakage,power,而且成本与28nm HKPG接近。 另外,目前国内正在扶持发展FD-SOI工艺技术,对于采用这个工艺制程的企业均给与大额的补贴。所以实际上FD-SOI的芯片流片费用相比28nm还会更便宜。
FD-SOI工艺可以获得较高的performance(性能比FinFET肯定还是要差点,但是比28nm提高很多),较低的leakage,power,而且成本与28nm HKPG接近。 另外,目前国内正在扶持发展FD-SOI工艺技术,对于采用这个工艺制程的企业均给与大额的补贴。所以实际上FD-SOI的芯片流片费用相比28nm还会更便宜。