FD-SOI器件的体偏置电压范围更广,可以将晶体管的VT阈值电压调到300mV左右,从而显著降低存储阵列内未选位的漏电流。 为了确保嵌入式存储器从闪存变成PCM过程中微控制器应用级兼容性,按照命令用途配置相变存储器结构,镜像出与闪存相同的逻辑架构,包括一个等效的闪存擦除操作(即使PCM架构不需要),如图1所示。这个6 MB的...
28nm FD-SOI工艺嵌入式存储器即将问世 嵌入式存储器SOI工艺快闪存储器晶圆代工SST三星晶圆代工业务(Samsung Foundry)准备开始以28nmFD—SOI工艺,提供SST—MRAM(spintorque transfer magnetic RAM)以及快闪存储器,做为嵌入式非挥炭性存储器(eNVM)选项.中国集成电路...
因为与集成存储元件相关的工序很少,28nm被认为是在FD-SOI CMOS技术平台上充分发挥PCM优势的最佳节点[5]。支持汽车环境所需的5V接口需要增加额外的工序。FD-SOI技术让解决方案具有抑制静态泄漏电流的功能。FD-SOI器件的体偏置电压范围更广,可以将晶体管的VT阈值电压调到300mV左右,从而显著降低存储阵列内未选位的漏电流...
第二件事是,我们必须看到全耗尽型绝缘体上硅(FDSOI)在功耗效率和抗辐射方面有固有的优势。这就是为什么他们大量运用于汽车(ADAS)、工业、医疗和网络领域,升级这些采用28nm工艺的设备。如果我谈到FinFET,它在蚀刻工艺方面具有更多的复杂程序。它需要像阿斯麦公司(ASML)这样的公司提供先进的光刻设备,这对数字设计...
第二件事是,我们必须看到全耗尽型绝缘体上硅(FDSOI)在功耗效率和抗辐射方面有固有的优势。这就是为什么他们大量运用于汽车(ADAS)、工业、医疗和网络领域,升级这些采用28nm工艺的设备。如果我谈到FinFET,它在蚀刻工艺方面具有更多的复杂程序。它需要像阿斯麦公司(ASML)这样的公司提供先进的光刻设备,这对数字设计来说更...
现在,三星电子又宣布,已经全球第一家商业化规模量产eMRAM(嵌入式磁阻内存),而且用的是看上去有点“老旧”的28nm FD-SOI(全耗尽型绝缘层上硅)成熟工艺,可广泛应用于MCU微控制器、IoT物联网、AI人工智能领域。 三星指出,基于放电存储操作的eFlash(嵌入式闪存)已经越来越难以进步,SLC、MLC、TLC、QLC、OLC一路走下...
如果你寻求更低功耗,那么 14nm FinFET 和 28nm FD-SOI 都是全耗尽的,即两者都能在更低的功率下运行。这是两个工艺的共同点。14nm FinFET 基于其构造,性能上的确比 28nm 的更优秀。最后一点,从价格来说,这涉及到双光罩的数量;28nm 不涉及各种复杂的双光罩,而 14nm 拥有双光罩从而实现面积微缩,这是一个...
IBS首席执行官再谈FD-SOI对AI的重要性,在≥12nm和≤28nm区间FD-SOI是更好的选择-电子发烧友网报道(文/吴子鹏)2024年10月23日,第九届上海FD-SOI论坛在浦东香格里拉酒店召开,FD-SOI产业链产业上下游企业再次汇聚一堂,其中包括多位行业重量级嘉宾,比如IBS首席执行官Hand
第二件事是,我们必须看到全耗尽型绝缘体上硅(FDSOI)在功耗效率和抗辐射方面有固有的优势。这就是为什么他们大量运用于汽车(ADAS)、工业、医疗和网络领域,升级这些采用28nm工艺的设备。如果我谈到FinFET,它在蚀刻工艺方面具有更多的复杂程序。它需要像阿斯麦公司(ASML)这样的公司提供先进的光刻设备,这对数字设计来说更...
ST采用自家28nm FD-SOI技术推出了Stellar G和P系列,分别用于网关、控制等; 瑞萨早在18年就推出了基于28nm的集成eFlash技术的MCU,并在20年前后推出了涵盖车身、网关到动力控制的高性能MCU U2AU2B。 可以看到,随着电子电气架构架构的演进,对车规MCU的算力、资源、性能的要求都提升了一个档次。