全新IGBT模块F3L150R07W2E3_B11 F3L150R07W2E3_B11..F3L150R07W2 深圳芯盛威电子有限公司 3年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市 ¥1.00 F3L150R07W2E3_B11 封装:MODULE 电子元器件集成电路芯片IC型 深圳易嘉游科技有限公司 1年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.20 F3...
F3L150R07W2E3B11BOMA1 IGBT模块 650V 150A 335W 全新原装 深圳市宇烁芯半导体科技有限公司 3年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市 ¥180.00 F3L100R07W2E3-B11模块变频器配件全新100A-700V原装质量保证直拍 型号 白色,F3L75R07W2E3-B11,全新、白色,F3L100R07W2E3-B11,全新、白色,F3L150R07...
型号 F3L150R07W2E3_B11 产地 中国 QQ 1039331715 可售卖地 全国 产品类型 现货 特色服务 一站式配单 ROHS 是 产品说明 全新原装 包装 卷带 封装 MODULE 产品种类 IGBT模块 数量 82200 批号 新年份 鸿胜芯只做原装正品 报价效率快,准,高 品牌 INFINEON/英飞凌 价格说明 价格:商品在爱采购的...
制造商编号 F3L100R07W2E3_B11 商标 InfineonTechnologies 高度*长度*宽度 ** 系列 TrenchstopIGBT3 包装数量 15 可售卖地 全国 型号 F3L150R07W2E3_B11 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 晶体管/模块 商品关键词 F3L150R07W2E3_B11、 INFINEON/英飞凌、 IGBT模块 商品图片 商品参数 品牌: INFINEON/英飞凌 封装: IGBT模块 批号: 24+ 数量: 1088 制造商: Infineon 产品种类: IGBT 模块 配置: IGBT-Inverter 集电极—射极饱和电压:...
f3l150r07w2e3_b11是一个配备EasyPACK™ 2B的三电平IGBT3 - E3模块,其外壳可支持最高达到650 V和150 A的工业应用
F3L150R07W2E3B11BOMA1 中文资料规格参数 参数列表 搜索代替器件 技术参数 耗散功率 335 W 击穿电压(集电极-发射极) 650 V 输入电容(Cies) 9.3nF @25V 额定功率(Max) 335 W 工作温度(Max) 150 ℃ 工作温度(Min) -40 ℃ 耗散功率(Max) 335000 mW ...
爱采购为您精选f3l150r07w2e3_b11 英飞凌igbt热销货源,f3l150r07w2e3_b11 英飞凌igbt优质商品、f3l150r07w2e3_b11 英飞凌igbt详情参数,f3l150r07w2e3_b11 英飞凌igbt厂家,实时价格,图片大全等
零件号别名 F3L150R07W2E3B11BOMA1 SP000638568 F3L150R07W2E3B11 单位重量 39 g 可售卖地 全国 型号 F3L150R07W2E3_B11 技术参数 品牌: Infineon 型号: F3L150R07W2E3_B11 批号: 23+ 数量: 2250 制造商: Infineon 产品种类: IGBT 模块 配置: IGBT-Inverter 集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V...
F3L150R07W2E3_B11产品信息: EasyPACK2B650V 150 A 三级相位支路IGBT模块,采用第三代 TRENCHSTOP IGBT、第三代发射极控制二极管、NTC 和 PressFIT 压接技术。 特征描述 阻断电压能力提高,650 V 低电感设计 低开关损耗 低V(CEsat) 低热阻Al(2)O(3)基板 ...