F3L100R07W2E3_B11产品信息: EasyPACK2B650V 100 A 三级相位支路IGBT模块,采用第三代 TRENCHSTOP IGBT、第三代发射极控制二极管、NTC 和 PressFIT 压接技术。 特征描述 阻断电压能力提高,650 V 低电感设计 低开关损耗 低V(CEsat) 低热阻Al(2)O(3)基板 ...
本公司生产销售控制二极管 模块 可 控制二极管,提供控制二极管专业参数,控制二极管价格,市场行情,优质商品批发,供应厂家等信息.控制二极管 控制二极管 品牌英飞凌|产地上海|价格250.00元|重量39kg|输出电流150mA|输入电压650V|材质硅|用途新能源|是否进口否|规格标准封装|货
英飞凌(F3L100R07W2E3_B11)特征描述: Tvj op = 150°C 符合RoHS 通过UL/CSA 的 认证 英飞凌(F3L100R07W2E3_B11)优势: 现有封装具有更高的电流能力,允许在相同的框架尺寸下增加逆变器输出功率 极高的功率密度 灵活性 出色的电气性能 高可靠性
“F3L100R07W2E3_B11德国进口英飞凌”参数说明 封装:DIP功能结构:数/模混合集成电路 制作工艺:半导体集成电路导电类型:双极型 外形:扁平型集成度高低:中规模集成电路 应用领域:标准通用规格:进口 包装:10个产量:100000000 “F3L100R07W2E3_B11德国进口英飞凌”详细介绍 ...
SKM195GAR07E3 西门康SEMIKRON IGBT模块 双向可控硅 ¥ 280.00 商品描述 价格说明 联系我们 咨询底价 品牌: 英飞凌 封装: 标准封装 批次: 21+ 数量: 1306 制造商: Infineon 制造商编号: F3L75R07W2E3_B11 商标: InfineonTechnologies 高度*长度*宽度: ** 系列: TrenchstopIGBT3 包...
英飞凌(F3L100R07W2E3_B11)特征描述: Tvj op = 150°C 符合RoHS 通过UL/CSA 的 认证 英飞凌(F3L100R07W2E3_B11)优势: 现有封装具有更高的电流能力,允许在相同的框架尺寸下增加逆变器输出功率 极高的功率密度 灵活性 出色的电气性能 高可靠性
发货地 上海 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 晶体管/模块 商品关键词 F3L100R07W2E3、 B11、 英飞凌、 标准封装 商品图片 商品参数 品牌: 英飞凌 封装: 标准封装 批次: 21+ 数量: 1306 制造商: Infineon 制造商编号: F3L75R07W2E3_B11 商标: InfineonTechnologies 高度*长度*宽度: ** ...
F3L100R07W2E3_B11650 V 100 A 三电平 IGBT模块 EasyPACK™2B650V 100 A 三级相位支路IGBT模块,采用第三代 TRENCHSTOP™ IGBT、第三代发射极控制二极管、NTC 和 PressFIT 压接技术。 特征描述 阻断电压能力提高,650 V 低电感设计 低开关损耗
F3L100R07W2E3_B11650 V, 100 A 3-level IGBT module EasyPACK™ 2B650 V, 100 A 3-level phase legIGBT modulewith TRENCHSTOP™ IGBT3, Emitter Controlled 3 diode, NTC andPressFIT Contact Technology. Summary of Features Increased blocking voltage capability to 650 V ...
F3L100R07W2E3_B11/功率模块价格 ¥ 19.99 ¥ 17.99 ¥ 16.99 起订数 1个起批 100个起批 500个起批 发货地 广东深圳 咨询底价 产品服务 热门商品 英飞凌 集成电路、处理器、微控制器 FS200R12KT4R IGBT 模块 IGBT 1200V 200A ¥ 17.99 XPT9911/功率模块 ¥ 16.99 IPD50N04S4-10 集成...