二、技术路线解析：国产EUV的“三驾马车”回顾2019年，我国遭遇西方市场的“芯片围剿”，陷入腹背受敌的困难时刻，其中最核心的难题就集中在EUV光刻机的“缺失”，如今六年时间过去，我国在EUV光刻机领域也逐渐走出了自己的道路：LPP路线：对标ASML的“稳中求进”上海微电子公开的LPP光源专利，通过优化锡靶轰击技术...
需要注意的是，EUV光刻机中涵盖非常多的关键技术，以及关键的零部件，我们如今攻克的只是一小步。当然，这是一个利好的局面，但要在短时间内拿出国产的EUV光刻机着明显是不现实的事情。所以，我们只能按照在没有国产EUV光刻机的局面来对未来做出分析。就目前笔者已知的信息当中，中芯的主要优势在于成熟工艺上的产能...
最新披露的数据显示：截至2025年1月，国内企业累计申请EUV相关专利已经超过3700件。其中，仅光刻机光源系统的专利占比就高达42%，荷兰ASML之所以能够维稳自身的行业地位，很大一部分原因就是由于其光源的供应来自于美国企业。不过，光源这一EUV光刻机技术的“护城河”，终究还是被中国企业给攻克了。比如，上海微电子所研...
自从美方修改芯片规则后，EUV光刻机就成了国产芯片迈向高端领域的一道很难跨越的“藩篱”。作为全球唯一能生产EUV的厂商，尽管ASML自始至终都想对中企客户出货，毕竟大陆对该设备需求巨大，而EUV又是利润很大的设备。然而，由于其产线上使用到了大量美国配件与技术，人在屋檐下，它也不敢违背所谓的出口管制规则。要...
导读：外媒：国产EUV光刻机开始突破了 随着2025年的到来，近，中国科技领域的进步再次成为全球关注的焦点。从六代机的成功首飞到两栖攻击舰四川舰的下水，中国正以惊人的速度推进着其现代化进程。而在国内半导体领域，一系列好消息同样振奋人心。不仅国产芯片出口金额在2024年首次突破了万亿元大关，国产高端EUV光刻机的...
四、EUV光刻机：真正的终极考验 说到底，中芯国际能否追赶台积电，关键还是看EUV光刻机的研发进展。目前，中芯国际在14nm节点上已经有所突破，但要实现7nm及以下的制程，就必须依赖EUV光刻机。而这台机器，几乎是整个半导体行业最复杂的设备之一。据业内人士估计，国产EUV光刻机的研发至少还需要5到10年的时间。这...
这一切都为未来的EUV光刻机国产化奠定了坚实基础。从突破极紫外光源技术到完成整台EUV光刻机的制造，仍然需要克服许多挑战。除了核心部件外，光刻机还需要上万种小型零部件的协调和精密调试。但这已经不再是遥不可及的梦想，而是触手可及的未来。——【·赵永鹏教授团队的成就·】——» 赵永鹏教授在接受采访时...
2024年，中国正式发布了分辨率≤65nm、套刻精度小于8nm的国产光刻机。这一技术虽未达到国际顶尖的EUV光刻水平，但通过多重曝光和套刻技术，已经能够满足28nm及以上制程的芯片制造需求。这一成果的意义不容小觑——全球芯片市场中，28nm以上的芯片需求占据70%以上份额，覆盖了家电、汽车等绝大多数民用市场。数据显示，...
EUV是一种波长为13.5纳米的极紫外光，是目前芯片制造中最先进的曝光光源。EUV光刻机可以在晶圆上“雕刻”出更细密、更复杂的电路图案，提高芯片的性能和效率。然而，EUV光源的产生非常困难，目前ASML公司采用的是高能脉冲激光轰击液态锡靶，形成等离子体然后产生EUV光源，功率约250瓦。而随着芯片工艺节点的不断缩小，...