对单体TVS而言,从做完TLP测试而得的图形之中即可快速的找出在相对应的ESD电流之下,TVS的箝制电压(Clamping Voltage)是多少。箝制电压小的TVS代表保护效果更佳,系统越可能通过IEC61000-4-2的测试。因此TLP图形能协助我们去推测TVS是否能满足系统的ESD防护需求,以通过IEC61000-4-2的静电测试。 AZ5413-01F的TLP曲线图...
同时TLP系统用一示波器记录打入待测元件的入射波和反射波及其电压电流值。此外在每一个脉冲过后,测量待测元件的漏电流。这样就可以获得待测元件的ESD防护过程中的I-V特性曲线和漏电流Ileakage。 触发电压(trigger voltage, Vt1)是待测元件进入snapback区域的触发点,Vt1必须低于内部电路的击穿电压,才能起到保持内部...
用于ESD分析的传输线脉冲(TLP)测试--元件级
当Vsub-source压降>0.7V后,在器件体内由Drain—Psub—Source构成的NPN寄生三极管完全导通,此时Drain的电位对应TLP曲线中的(Vt1,It1)点,该点电压称为trigger voltage。 当发生trigger后,整个GGNMOS表现出负阻行为,称为snap-back,发生snap-back是由于Drain—Psub—Source构成的NPN寄生三极管导通后,来自source端的漂移载...
从TLP曲线中看出。两者的雪崩击穿电压一致,雪崩击穿后Diode一直维持正电阻特性,而SCR触发负电阻特性,泄放效率上SCR远高于Diode。因为高压工艺在制备高压阱时受推结深度,推结浓度等影响导致BreakDown Voltage的Min与Max相差较大,且设计不当可能导致雪崩击穿直接演变为热击穿。所以HV Diode SCR的稳定性较差。
其TLP曲线如图三所示,在16KV HBM时压降不到6V。无源器件虽然很占面积,但是其ESD防护能力优异,同时还能与其它功能集成。 二.常规防护器件 在CMOS工艺下,寄生参数最为理想的器件当属SCR,其能满足部分射频芯片的需求,且面积远小于无源器件,泄放效率也较为优异,但是SCR Trigger Voltage过高的问题一直无法避免,即便是LVTS...
在设计ESD保护电路时,需要考虑到各种因素,如器件特性、工作环境等。常用的ESD保护器件有TVS(Transient Voltage Suppressor)、ESD二极管等。TVS是一种被动器件,当电压超过其额定值时,会自动导通,将过电压抑制在安全范围内。ESD二极管则是一种主动器件,通过引入一个电容,将静电荷放电至地,从而保护器件不受损害。
TLP测试旨在模拟ESD放电，与HBM及IEC61000-4-2测试相辅相成。TLP测试能深入了解TVS在遭遇ESD时的I-V特性与箝制电压（Clamping Voltage），提供更详尽的测试结果。箝制电压越小的TVS代表保护效果更佳，系统通过IEC61000-4-2测试的可能性更大。采用TLP测试的优势在于，能够快速评估TVS在特定ESD电流下的箝制...
其TLP曲线如图三所示,在16KV HBM时压降不到6V。无源器件虽然很占面积,但是其ESD防护能力优异,同时还能与其它功能集成。 2.常规防护器件 在CMOS工艺下,寄生参数最为理想的器件当属SCR,其能满足部分射频芯片的需求,且面积远小于无源器件,泄放效率也较为优异,但是SCR Trigger Voltage过高的问题一直无法避免,即便是LVTSC...
••••••ESD评价方式介绍ESD保护的基本概念常用的ESD器件介绍ESD保护网络介绍ESDchallengeCasestudy ESD评估 ChargeDischarge1.5kΩ +- HBM 100pF DeviceUnderTest Charge Discharge +- MM 200pF DeviceUnderTest HBMOkaySafeSuper+/-2kV+/-4kV+/-10kV MM+/-200V+/-400V+/-1kV ESD评价方式-TLP(...