常见的ESD保护电路结构包括: 1.防护二极管(Clamping Diodes):将静电放电电流导向地,以减小对电路的影响。常用的防护二极管有Zener二极管和快恢复二极管等。 2.防护电阻(Current Limiting Resistor):通过限制电流大小,来保护后面的电路。通常将防护电阻放置在输入信号的路径上。 3.防护电容(Clamping Capacitor):通过存储能...
常见的二极管ESD保护电路结构有以下几种: 1. 单向保护二极管结构:使用两个二极管分别连接在信号线与地线之间,通过引入地将ESD电流导向地。 2. 双向保护二极管结构:使用两个二极管连接在信号线和地线之间,一个二极管是正向导通的,另一个二极管是反向导通的,通过将ESD电流引入地线或电源线保护信号线。 3. 串联二极管结...
当出现静电放电(ESD)时,二极管会迅速转变为逆向偏置状态,从而将静电放电的能量引导到地或其他低阻抗路径上,从而保护被保护电路免受静电放电的损害。 二极管ESD保护电路通常采用反向并联二极管的结构,常见结构有: 1.反向并联二极管电路:将两个二极管反向并联,一个二极管的正向偏置电压为正向击穿电压,另一个二极管的正向...
以图1(b)中的MOS管Mn为例来说明这种改进的ESD保护结构的电路结构参数应该如何选择。Mn的栅击穿电压是12.5V,按照ESD保护原理,经过多级限流电阻之后落在Mn栅极的电压须小于这个管子的栅击穿电压,保护电路才能起到保护作用,通过计算,采用三级二极管加电阻网络结构可以达到保护Mn的目的,其中每限流电阻值为100Ω,而D1,D2...
ESD是指在接触、分离或摩擦两个带电物体时,由于静电作用而产生的瞬时放电现象。在CMOS电路中,ESD事件可能破坏器件的PN结、栅极氧化层和金属线等。 2. ESD保护结构的形成 ESD保护结构的设计基于两个原则:首先,防止ESD电荷积聚,并尽快将电荷从器件移走。其次,减小ESD电荷得以穿透器件的功率密度。 为了满足这两个原则...
CMOS电路ESD保护结构的设计: 大部分的ESD电流来自电路外部,因此esd保护电路一般设计在PAD旁,I/O电路内部。典型的I/O电路由输出驱动和输入接收器两部分组成。ESD通过PAD导入芯片内部,因此I/O里所有与PAD直接相连的器件都需要建立与之平行的ESD低阻旁路,将ESD电流引入电压线,再由电压线分布到芯片各个管脚,降低ESD的影...
图1示出了采用二极管实现ESD结构时,ESD结构的等效电路图,其中两个二极管串联,二极管D2阴极与电源正极连接,二极管D2的阳极与二极管D1的阴极连接,二极管D1的阳极经电阻R1接地。信号传输线上具有输入点IN和输出点OUT,在输入点IN上的信号符合静电放电的条件,则电流会泄放到电源,从而保护芯片,如果不符合静电放电的条件,...
CMOS电路是现代集成电路的主流技术,但ESD(ElectroStaticDischarge)放电引起的失效是CMOS电路的一个严重问题。为了解决这个问题,CMOS集成电路设计中引入了ESD保护结构。 ESD保护结构的设计原理主要基于静电放电的特性,通过在电路中引入适当的保护电路,将ESD引起的电流迅速分流,从而保护内部电路不受损害。版图设计时,ESD保护结构...
集成电路电源ESD防护布局结构,将集成电路中的工作电源VDD与电源地VSS以最小PAD宽度靠近构建,在工作电源VDD与电源地VSS之间的冗余空间分别为工作电源VDD与电源地VSS构建一个电源ESD保护电路;其中,工作电源VDD与电源地VSS的电源ESD保护电路由NMOS构建为同一个公用阱POWERESDNMOS。与现有技术相比,本发明的有益效果在于:在...
芯片结构及ESD保护方法，该保护电路包括：第一ESD器件，其第二端接待保护器件的待保护引脚；第二ESD器件，其第一端接第一ESD器件的第一端，其第二端接待保护器件的地；第三ESD器件，其第一端接待保护器件的待保护引脚，其第二端接待保护器件的地；其中，第一ESD器件、第二ESD器件以及第三ESD器件的第一端到第...