ESD（Electrostatic Discharge）保护电路结构是用来防止静电放电对电路元件和系统造成损坏的电路结构。常见的ESD保护电路结构包括：1.防护二极管（Clamping Diodes）：将静电放电电流导向地，以减小对电路的影响。常用的防护二极管有Zener二极管和快恢复二极管等。2.防护电阻（Current Limiting Resistor）：通过限制电流大小，来...
常见的二极管ESD保护电路结构有以下几种: 1. 单向保护二极管结构:使用两个二极管分别连接在信号线与地线之间,通过引入地将ESD电流导向地。 2. 双向保护二极管结构:使用两个二极管连接在信号线和地线之间,一个二极管是正向导通的,另一个二极管是反向导通的,通过将ESD电流引入地线或电源线保护信号线。 3. 串联二极管结...
电容式触摸感应检测按键电路是一类对静电特别敏感的电路,因此静电放电(ESD)保护结构的选择问题对这一类电路显得特别重要。一方面要确保所选择的ESD保护结构有足够的抗静电能力,另一方面这种ESD保护结构又不能使芯片的面积和成本增加太多,基于此要求,介绍了3种应用在电容式触摸感应检测按键电路中的ESD保护结构。主要描述了...
CMOS电路分析ESD保护结构的设计 大部分的ESD电流来自电路外部,因此ESD保护电路一般设计在PAD旁,I/O电路内部。典型的I/O电路由输出驱动和输入接收器两部分组成。ESD 通过PAD导入芯片内部,因此I/O里所有与PAD直接相连的器件都需要建立与之平行的ESD低阻旁路,将ESD电流引入电压线,再由电压线分布到芯片各个管脚,降低ESD...
(54)实用新型名称ESD防护版图结构及集成电路(57)摘要本实用新型公开了一种ESD防护版图结构及集成电路,包括第一MOS区、第二MOS区和静电防护带,第一MOS区和第二MOS区均设置在P型衬底上,第二MOS区位于第一MOS区的一侧,静电防护带设置在P型衬底上,且将第一MOS区和第二MOS区分隔在相对的两侧,静电防护带包括依次...
当出现静电放电(ESD)时,二极管会迅速转变为逆向偏置状态,从而将静电放电的能量引导到地或其他低阻抗路径上,从而保护被保护电路免受静电放电的损害。 二极管ESD保护电路通常采用反向并联二极管的结构,常见结构有: 1.反向并联二极管电路:将两个二极管反向并联,一个二极管的正向偏置电压为正向击穿电压,另一个二极管的正向...
ESD保护电路的改进型结构的测试报告 集成电路中ESD(ElectroStatic Discharge)现象,主要由IC与带静电的人体或机器接触所致,目前,静电释放所引起的IC失效已占总失效数的10%,因此静电释放保护是保证IC可靠性的一个重要内容,现在的设计要求就是以最小的版图面积,得到触发时间足够快,释放电流足够大的ESD保护电路,以确保IC...
1 引言ESD(Electric Static Discharge)保护结构的有效设计是CMOS集成电路可靠性设计的重要任务之一,其ESD结构与工艺技术、特征尺寸密切相关,随着IC工艺技术的进一步发展,特征尺寸越来越小,管子的栅氧层厚度越来越
以下是常见的CMOS电路ESD保护结构设计: 1. 二极管保护: CMOS电路通常使用二极管作为基本的ESD保护元件。在输入/输出端口或电源线上添加反并联的二极管,使其在ESD事件中形成一个路径,将静电能量引导到地。 2. NPN/PNP二极管结构: 进一步提高ESD保护能力,可以使用NPN/PNP二极管结构。这种结构由NPN和PNP二极管串联而成,...
摘要:在本实用新型涉及半导体技术领域,公开了一种ESD保护电路以及ESD保护电路结构,第一电阻的第一端用于连接GaN增强型功率器件的栅极、第一场效应管的源极,第二钳位二极管串的阳极连接第一场效应管的源极或漏极,第一电阻的第二端连接第一场效应管的栅极和第一钳位二极管串的阴极,第一场效应管的漏极连接第二场效...