主权项:1.一种用于集成电路的ESD防护结构,其特征在于,所述结构包括IC芯片及ESD器件;所述ESD器件的第一端连接所述IC芯片的电源端口,所述ESD器件的第二端连接所述IC芯片的IO端口,所述ESD器件的第三端连接所述IC芯片的接地端口;所述ESD器件,用于在所述IC芯片引脚遭受ESD应力冲击时,对所述IC芯片任意两引脚之间的...
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专利摘要显示，本发明涉及一种具有静电释放防护结构的集成电路，包括：第一金属连线区域；第一阱区，通过其上方的第一接触孔中的导电结构与第一金属连线区域电性连接；第一隔离阱，具有第一导电类型；第二隔离阱，具有第二导电类型，第一隔离阱位于第二隔离阱与第一阱区之间；第二阱区，具有第一导电类型，第二隔...
本实用新型揭示了一种集成电路的ESD保护结构,其设置于集成电路的内部电路及焊盘间,该ESD保护结构由占用集成电路的芯片一定面积的PN结组成,该PN结在所占用芯片的面积上被设置成由复数小面积的PN结并联连接而成,以增加PN结内所包含的本征硅的体积。本实用新型的ESD保护结构,在不增加芯片上所占用面积的情况下,增加了PN结...
摘要:本实用新型公开了一种具有ESD保护电路结构的硅栅MOS集成电路,该硅栅MOS集成电路包括:内部集成模块和静电保护模块;静电保护模块设置于内部集成模块和外接设备之间;静电保护模块用于在检测到外接设备输送的电信号的电压值大于或等于保护触发电压的电压值时,导通外接设备与硅栅MOS集成电路的接地端之间的连通回路。本...
(54)实用新型名称ESD防护版图结构及集成电路(57)摘要本实用新型公开了一种ESD防护版图结构及集成电路,包括第一MOS区、第二MOS区和静电防护带,第一MOS区和第二MOS区均设置在P型衬底上,第二MOS区位于第一MOS区的一侧,静电防护带设置在P型衬底上,且将第一MOS区和第二MOS区分隔在相对的两侧,静电防护带包括依次...
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集成电路电源ESD防护布局结构,将集成电路中的工作电源VDD与电源地VSS以最小PAD宽度靠近构建,在工作电源VDD与电源地VSS之间的冗余空间分别为工作电源VDD与电源地VSS构建一个电源ESD保护电路;其中,工作电源VDD与电源地VSS的电源ESD保护电路由NMOS构建为同一个公用阱POWER ESD NMOS.与现有技术相比,本发明的有益效果在于:...
摘要: 本实用新型涉及一种SOI/CMOS集成电路输出缓冲器的ESD保护结构,特征是PMOS管源端通过半导体金属铝连接正电源VDD,NMOS管源端通过金属铝连接负电源GND;PMOS管漏端与NMOS管漏端通过金属铝连接形成输出连接端;正电源VDD通过金属铝连接P-型衬底栅控二极管的阴极,负电源GND通过金属铝连接N-型衬底栅控...查看全部>>...
阐述静电放电保护原理,设计CMOS电路的静电释放ESD保护结构,以及等效电路的应用,提升整个电路的抗ESD能力,从而最大程度降低静电放电引起的不良后果. 杨伟 - 《集成电路应用》 被引量: 0发表: 2020年 集成电路中ESD防护研究 随着半导体制造工艺的特征尺寸越来越小,静电放电(ESD,Electro-StaticDischarge)已经成为集成电路中...