天津见合八方光电科技有限公司(http://tj.jhbf.cc),是一家专注半导体光放大器SOA研发和生产的高科技企业,目前已推出多款半导体光放大器SOA产品(1060nm, 1310nm, 1550nm),公司已建立了万级超净间实验室,拥有较为全面的光芯片的生产加工、测试和封装设备,并具有光芯片的混合集成微封装能力。目前公司正在进行小型S...
集成芯片设计,包括dfb,soa和ea三个部分,将soa放在dfb之后,对dfb恒定输出功率的光信号加以放大,之后再通过ea部分对光信号加以调制。 另一种实现方式是增加集成芯片的结构,在soa输出波导处通过一定分束比设计的耦合分路器将光信号分为两束,主要能量通过波导传输至芯片的输出端面,另一部分能量耦合到集成探测器部分,用于...
进一步地,所述eml芯片发射目标光信号的一面与所述soa芯片接收目标光信号的一面呈90度角设置。 第二方面,本发明实施例还提供了一种soa芯片与eml芯片的集成装置,包括:soa芯片,eml芯片,直角棱镜和倒锥耦合器,其中,所述倒锥耦合器的宽端刻有光栅,所述直角棱镜设置于所述eml芯片和所述倒锥耦合器的宽端的光栅之间的...
为了提高EML的输出功率,在EML末端集成了SOA,可实现大于8dBm的平均输出光功率。该EML阵列 第?9?页各通道的调制带宽大于30GHz,实现了56Gbit/s的调制速率。(三)清华大学在增益耦合同一外延层结构EML方面的研究清华大学罗毅研究组独立提出同一外延层集成方案,并结合增益耦合激光器对高性能EML进行了系统的研究。研制出的...
图3 4×25 GbitsEML 阵列芯片显微照片 2017年,为了提高EML的输出功率,研究人员将EML与半导体光放大器(SOA)进行单片集成,制作出如图4所示的集成光源,并对其最优的驱动方案进行了研究。 图4 EML+SOA 器件结构 2017年,在器件的高速封装方面,科研人员利用倒装焊(flip-chip interconnection)解决引线连接存在的寄生参数问...
SOA芯片与EML芯片的集成装置 (57)摘要 本发明提供了一种SOA芯片与EML芯片的集成装置,包括:SOA芯片,EML芯片和倒锥耦合器,其中,倒锥耦合器的宽端刻有光栅,EML芯片正对倒锥耦合器的宽端的光栅设置,SOA芯片与倒锥耦合器的窄端相连接;EML芯片,用发出目标光信号;倒锥耦合器,用于收集目标光信号;SOA芯片,用于接收倒锥...
图3 4×25 GbitsEML 阵列芯片显微照片 2017年,为了提高EML的输出功率,研究人员将EML与半导体光放大器(SOA)进行单片集成,制作出如图4所示的集成光源,并对其最优的驱动方案进行了研究。 图4 EML+SOA 器件结构 2017年,在器件的高速封装方面,科研人员利用倒装焊(flip-chip interconnection)解决引线连接存在的寄生参数问...
本发明公开了一种集成SOA的EML芯片,所述EML芯片包括:衬底、反馈激光器DFB、电吸收调制器EAM、光放大器SOA;反馈激光器DFB、电吸收调制器EAM、光放大器SOA集成在衬底上,反馈激光器DFB和电吸收调制器EAM之间通过第一波导连接,用于实现EML激光器的脉冲输出,输出带有振幅调制的光脉冲;光放大器SOA和电吸收调制器EAM之间通...
组件包括管壳,温度监控电路和一体式TEC,包括一个共基板的热面和两个独立的冷面,第一冷面承载一热沉,热沉上设置有激光发射芯片;第二冷面承载一AWG,AWG的进光面刻蚀有透镜阵列,AWG中用于传输汇聚后光信号波导段设置有第一凹槽,第一凹槽中设置有SOA芯片;热面固定在管壳的内壁上.本发明提供的多通道EML集成组件,...
本文针对TWDM-PON无色ONU的发射设计一种基于电吸收调制激光器(EML)和半导体光放大器(SOA)的可调突发激光器,能够在10Gbit/s的上行发射中实现波长可调谐.文章首先... 程鹏 - 武汉邮电科学研究院 被引量: 0发表: 0年 100G客户侧高速光模块用光发射组件(TOSA)的研究进展 100GTOSADMLEML100G客户侧光模块采用LAN...