天津见合八方光电科技有限公司(http://tj.jhbf.cc),是一家专注半导体光放大器SOA研发和生产的高科技企业,目前已推出多款半导体光放大器SOA产品(1060nm, 1310nm, 1550nm),公司已建立了万级超净间实验室,拥有较为全面的光芯片的生产加工、测试和封装设备,并具有光芯片的混合集成微封装能力。目前公司正在进行小型S...
集成芯片设计,包括dfb,soa和ea三个部分,将soa放在dfb之后,对dfb恒定输出功率的光信号加以放大,之后再通过ea部分对光信号加以调制。 另一种实现方式是增加集成芯片的结构,在soa输出波导处通过一定分束比设计的耦合分路器将光信号分为两束,主要能量通过波导传输至芯片的输出端面,另一部分能量耦合到集成探测器部分,用于...
6.一种SOA芯片与EML芯片的集成装置,其特征在于,包括:SOA芯片,EML芯片,直角棱镜和倒锥耦合器,其中,所述倒锥耦合器的宽端刻有光栅,所述直角棱镜设置于所述EML芯片和所述倒锥耦合器的宽端的光栅之间的位置,所述SOA芯片与所述倒锥耦合器的窄端相连接。 7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述EML芯片正对...
进一步地,所述eml芯片发射目标光信号的一面与所述soa芯片接收目标光信号的一面呈90度角设置。 第二方面,本发明实施例还提供了一种soa芯片与eml芯片的集成装置,包括:soa芯片,eml芯片,直角棱镜和倒锥耦合器,其中,所述倒锥耦合器的宽端刻有光栅,所述直角棱镜设置于所述eml芯片和所述倒锥耦合器的宽端的光栅之间的...
为了提高EML的输出功率,在EML末端集成了SOA,可实现大于8dBm的平均输出光功率。该EML阵列 第?9?页各通道的调制带宽大于30GHz,实现了56Gbit/s的调制速率。(三)清华大学在增益耦合同一外延层结构EML方面的研究清华大学罗毅研究组独立提出同一外延层集成方案,并结合增益耦合激光器对高性能EML进行了系统的研究。研制出的...
图3 4×25 GbitsEML 阵列芯片显微照片 2017年,为了提高EML的输出功率,研究人员将EML与半导体光放大器(SOA)进行单片集成,制作出如图4所示的集成光源,并对其最优的驱动方案进行了研究。 图4 EML+SOA 器件结构 2017年,在器件的高速封装方面,科研人员利用倒装焊(flip-chip interconnection)解决引线连接存在的寄生参数问...
图3 4×25 GbitsEML 阵列芯片显微照片 2017年,为了提高EML的输出功率,研究人员将EML与半导体光放大器(SOA)进行单片集成,制作出如图4所示的集成光源,并对其最优的驱动方案进行了研究。 图4 EML+SOA 器件结构 2017年,在器件的高速封装方面,科研人员利用倒装焊(flip-chip interconnection)解决引线连接存在的寄生参数问...
本发明公开了一种集成SOA的EML芯片,所述EML芯片包括:衬底、反馈激光器DFB、电吸收调制器EAM、光放大器SOA;反馈激光器DFB、电吸收调制器EAM、光放大器SOA集成在衬底上,反馈激光器DFB和电吸收调制器EAM之间通过第一波导连接,用于实现EML激光器的脉冲输出,输出带有振幅调制的光脉冲;光放大器SOA和电吸收调制器EAM之间通...
主要设计由dfb激光二极管、ea调制器、soa放大器集成的激光器芯片,在共用一个有源层的基础上,通过外延pl、光栅周期、芯片工艺等设计,制作集成芯片,该结构设计及制备方法相较于对接生长、sag等现有方案,外延成本更低,工艺更为简单,且也能达到相关性能指标。
所以EML的关键核心是EML芯片,它是电吸收调制激光器的芯体。 随着光纤信息业、光纤到户通信网、电话、有线电视和计算机的迅速发展, 光电子器件行业的景气度在迅速提升,接入网方面对光电子器件需求十分巨大,目前不论是低端产品,还是高端产品10Gb/s速率以上的EML、可调谐激光器、SOA(光放大器)等,均出现了供不应求...