EMI108NA16LM该器件是使用DRAM型存储单元的完整COMS SRAM,但是该器件具有无刷新操作和极低的功耗技术。此外该接口与低功耗异步型SRAM兼容。其工艺技术采用全CMOS,位宽512K x 16,电源电压范围为2.7〜3.3V,三态输出和TTL兼容,包装类型采用48-FBGA-6.00x8.00毫米,分离的I/O电源(VCCQ)和核心电源(VCC),取消选择时自...
EMI108NA16LM该器件是使用DRAM型存储单元的完整COMS SRAM,但是该器件具有无刷新操作和极低的功耗技术。此外该接口与低功耗异步型SRAM兼容。其工艺技术采用全CMOS,位宽512K x 16,电源电压范围为2.7~3.3V,三态输出和TTL兼容,包装类型采用48-FBGA-6.00x8.00毫米,分离的I/O电源(VCCQ)和核心电源(VCC),取消选择时自动...
EMI108NA16LM该器件是使用DRAM型存储单元的完整COMS SRAM,但是该器件具有无刷新操作和极低的功耗技术。此外该接口与低功耗异步型SRAM兼容。其工艺技术采用全CMOS,位宽512K x 16,电源电压范围为2.7~3.3V,三态输出和TTL兼容,包装类型采用48-FBGA-6.00x8.00毫米,分离的I/O电源(VCCQ)和核心电源(VCC),取消选择时自动...
下面EMI代理英尚微介绍一款型号为EMI108NA16LM的国产8mb psram。 EMI108NA16LM该器件是使用DRAM型存储单元的完整COMS SRAM,但是该器件具有无刷新操作和极低的功耗技术。此外该接口与低功耗异步型SRAM兼容。其工艺技术采用全CMOS,位宽512K x 16,电源电压范围为2.7〜3.3V,三态输出和TTL兼容,包装类型采用48-FBGA-6.0...