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国产SRAM芯片EMI516NF16LM-10I是容量16Mbit异步快速随机静态存储器,位宽8*1M字位。该器件采用先进的CMOS工艺和基于6-TR的单元技术制造,专为高速电路技术而设计。它特别适用于高密度高速系统应用。 EMI516NF16LM-10I使用8条公共输入和输出线,并具有一个输出使能引脚,其运行速度比读取周期中的地址访问时间快。封装...
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