ECC校验码位宽计算公式是用于计算ECC校验码位宽的公式,其具体表达式为: ECC码位数= (数据位数/ (1 -校验码比例)) -数据位数 其中,数据位数指的是需要进行ECC校验的数据位数,校验码比例指的是每个数据码字中分配给ECC校验码的比例。比如,如果校验码比例为1/8(即每8个数据位分配1个ECC校验码位),那么校验码比例...
校验位8(p8)检查8~15,24~31,40~47,……位,它们的编号2进制最右边第四位是1 注意,这里每一个数据位至少被2个校验码覆盖。 按照上面的步骤得到了汉明纠错码之后,就可以根据奇偶校验位来确定是哪一位数据出错了。在上图中的12位编码中,如果奇偶校验结果(p8,p4,p2,p1)的值为0000,则说明数据没有错。如果四...
文中在高速大容量固态存储器的硬件结构基础上，详细介绍了ECC校验码的生成规则以及ECC校验流程，并用C 语言和VHDL语言两种方法实现了该算法。1 存储器的硬件结构及芯片介绍 本存储器是以FPGA为控制核心，用64片Flash芯片构成存储阵列，采用CPCI接口实现数据的高速率存储。Flash存储阵列分为16组，每组4片，每组Flash芯片...
ecc[1] =tmp2; ecc[2] =tmp1; ecc[3] =0xff;return0; } 其中nand_ecc_precalc_table数组可以通过函数MakeEccTable生成。下面是在EXCEL中的截图,是要计算ECC的512B中的前三行,通过观察可以发现,每一行有16位,即两个字节,而对于256字节纠错1位的情况,每一行应该是8位。因此我们在读取源数据的时候必须要...
512字节纠错1位的ECC校验码生成演示 Flash型号: NandFlash型号:TC58NVG2S3ETA00 pagesize: 2KB oobsize : 64B blocksize : 128K 其中介绍了256B纠错1位的ECC生成算法,而这里的512B跟它的方法类似。 这里有一个EXCEL表格,它是对下面将要分析的算法的动态演示,只需要更改其中的16*16的表格中的数字,相应的ECC...
关于AM335x的ECC校验码的生成 Other Parts Discussed in Thread:AM3354 各位好,本人正在学习使用AM3354这个芯片,在使用CCS7.1.0调试starterware中的Nand Flash的程序的时候,在nandlib.c中有这样的一个函数: NandStatus_t NANDPageWrite(NandInfo_t *nandInfo,...
2.根据权利要求1所述的动态实现固态硬盘ECC校验码的方法,其特征在于,在所述步骤4)进行ECC校验码的添加/校验后,随着固态硬盘的工作时间增加,当出现不可纠的ECC错误,或者当一个ECC校验码率单位被改变的条件触发时,则在ECC校验码率表中提高一级ECC校验码率,进行ECC校验码的添加/校验。 3.一种动态实现固态硬盘ECC校验...
本文对适用于NAND Flash的BCH编码所产生的ECC校验码进行有效性分析,为设计高效能的ECC校验码提供参考。本文对不同BCH编码方案生成的ECC校验码的平均纠错能力、存储利用率及随机差错概率进行了分析研究,分析结果表明在Flash页面预留空间限制内,应尽可能使用纠错能力更强的ECC校验码对大数据块进行保护,能取得更好的纠错效果...
随着微电子工艺的不断进步,SoC芯片设计中SRAM所占面积越来越大,SRAM的缺陷率成为影响芯片成品率的重要因素.提出了一种可扩展的存储器自修复算法(S—MBISR),在对冗余的SRAM进行修复时,可扩展利用存储器访问通路中校验码的纠错能力,在不改变SRAM结构的前提下能够进一步提高存储器的容错能力,进而提高芯片成品率.最后对...
提出了一种可 扩展 的存储器 自修 复算法(S—MBISR),在对冗余的 SRAM进 行修 复时, 可扩展 利 用存 储 器访 问通 路 中校 验码 的纠错 能力,在 不改 变SRAM 结构 的前提 下能 够进 一步提 高存储 器 的容错 能力,进 而提 高芯 片成品率 。最后 对该算 法进 行了RTI 设计 实现 。后端...