nand_ecc_precalc_table[i] = xData; } } /* * nand_calculate_ecc - [NAND Interface] Calculate 3-byte ECC for 512-byte block * @buf: raw data * @ecc: buffer for ECC * @size: the number of bytes to generate ECC * * size 应该是一个偶数,比如512、32 */ int nand_calculate_ecc(...
SRAM的缺陷率成为影响芯片成品率的重要因素.提出了一种可扩展的存储器自修复算法(S—MBISR),在对冗余的SRAM进行修复时,可扩展利用存储器访问通路中校验码的纠错能力,在不改变SRAM结构的前提下能够进一步提高存储器的容错能力,进而提高芯片成品率.最后对该算法进行了RTL设计实现.后端设计评估表明,该算法能够工作在1GHz...