它包含了将材质整面均匀移除及图案选择性部分去除,可分为湿式刻蚀(wet etching)和干式刻蚀(dry etching)两种技术。 湿式刻蚀具有待刻蚀材料与光阻及下层材质良好的刻蚀选择比(selectivity)。 然而,由于化学反应没有方向性,因而湿式刻蚀是各向同性刻蚀。当刻蚀溶液做纵向刻蚀时,侧向的刻蚀将同时发生,进而造成底切(Under...
它包含了将材质整面均匀移除及图案选择性部分去除,可分为湿式刻蚀(wet etching)和干式刻蚀(dry etching)两种技术。 湿式刻蚀具有待刻蚀材料与光阻及下层材质良好的刻蚀选择比(selectivity)。 然而,由于化学反应没有方向性,因而湿式刻蚀是各向同性刻蚀。当刻蚀溶液做纵向刻蚀时,侧向的刻蚀将同时发生,进而造成底切(Under...
Dry Etching设备的构成和主要性能指标 干法刻蚀设备的概述 刻蚀是用化学或物理的方法有选择地从基材表面去除不需要的材料的过程,其中干法刻蚀(Dry Etching)具有很好的各向异性刻蚀和线宽控制,在微电子技术中得到广泛的应用。 在TFT-LCD制造过程中,Island,Channel和Contact的刻蚀一般使用的是干法刻蚀中RIE模式(Reactive Ion...
百度试题 题目中国大学MOOC: 英翻中dry etching wet etching 相关知识点: 试题来源: 解析 干法刻蚀 湿法刻蚀 反馈 收藏
它包含了将材质整面均匀移除及图案选择性部分去除,可分为湿式刻蚀(wet etching)和干式刻蚀(dry etching)两种技术。 湿式刻蚀具有待刻蚀材料与光阻及下层材质良好的刻蚀选择比(selectivity)。 然而,由于化学反应没有方向性,因而湿式刻蚀是各向同性刻蚀。当刻蚀溶液做纵向刻蚀时,侧向的刻蚀将同时发生,进而造成底切(Under...
它包含了将材质整面均匀移除及图案选择性部分去除,可分为湿式刻蚀(wet etching)和干式刻蚀(dry etching)两种技术。湿式刻蚀具有待刻蚀材料与光阻及下层材质良好的刻蚀选择比( selectivity )。然而,由于化学反应没有方向性,因而湿式刻蚀是各向同性刻蚀。当刻蚀溶液做纵向刻蚀时,侧向的刻蚀将同时发生,进而造成底切( ...
Plasma Etching is a dry etching method which is the best way to clean a surface before modification. It removes any unwanted organic residues.
Dry Etcher Introduction 1,Etching依据蚀刻的类型分为wet etch和dry etch。主要目的是转移图形,移除不要的film。 2,Wet etch除蚀刻液之外,后段采用水洗洗净。DRY ETCH采用plasma蚀刻并未有后段水洗清洗。此为而者最大差异。 3,WET ETCH生成物需可溶于蚀刻液,DRY ETCH生成物一般需要具有挥发性 ...
Synonyms:chemicaletching,liquidetching湿法刻蚀定义：Wetetchingisamaterialremovalprocessthatusesliquidchemicalsoretchantstoremovematerialsfromawafer.Thespecificpattersaredefinedbymasksonthewafer.Materialsthatarenotprotectedbythemasksareetchedawaybyliquidchemicals.Thesemasksaredepositedandpatternedonthewafersinapriorfabrication...
Wet / Dry Etching , Replication Techniques and other Nanofabrication Methods Wet Etching