一、紫外可见漫反射测试及计算带隙Eg 1.1. 紫外可见漫反射测试 1)制样: 背景测试制样:往图3左图所示的样品槽中加入适量的BaSO4粉末(由于BaSO4粉末几乎对光没有吸收,可做背景测试),然后用盖玻片将BaSO4粉末压实,使得BaSO4粉末填充整个样品槽,并压成一个平面,不能有凸出和凹陷,否者会影响测试结果。 样品测试制样:若样品较多足以填充样品
紫外可见漫反射(DRS)原理以及带隙计算, 视频播放量 11130、弹幕量 3、点赞数 183、投硬币枚数 94、收藏人数 608、转发人数 101, 视频作者 疯狂帅智, 作者简介 牛马博士生,相关视频:04. Origin处理紫外可见光漫反射(Uv-vis)数据处理及禁带宽度的计算,【数据处理】如何
2. 应用公式(αhv)1/n = A(hv - Eg),其中α代表吸光指数,h为普朗克常数,v是频率,Eg表示半导体的禁带宽度,A为常数。需注意的是,n的值与半导体类型相关:对于直接带隙半导体,n取1/2;而对于间接带隙半导体,n则取2。 3. 根据UV-Vis DRS数据,分别计算出(αhv)1/n和hv=hc/λ(其中c代表光速,λ为光的...
D是Tauc的核心,计算公式是(B列的吸收值*波长对应的能量)^2,这个公式只适用于直接带隙的半导体材料。 最后将D列归一化到E列,这样有助于多个数据画图的坐标修改。 具体操作步骤如下动图所示: 找带隙值 找Tauc图的带隙最主要用到的是Tangent插件,目前Origin开发出一系列App,打开Origin-App功能直接搜索Tangent就出...
1)一般通过UV-Vis DRS测试可以得到样品在不同波长下的吸收,如图4所示; 图4. 紫外可见漫反射图 2)根据(αhv)1/n = A(hv - Eg),其中α为吸光指数,h为普朗克常数,v为频率,Eg为半导体禁带宽度,A为常数。其中,n与半导体类型相关,直接带隙半导体的n取1/2,间接带隙半导体的n为2。
1)一般通过UV-Vis DRS测试可以得到样品在不同波长下的吸收,如图4所示; 图4. 紫外可见漫反射图 2)根据(αhv)1/n = A(hv - Eg),其中α为吸光指数,h为普朗克常数,v为频率,Eg为半导体禁带宽度,A为常数。其中,n与半导体类型相关,直接带隙半导体的n取1/2,间接带隙半导体的n为2。