低功耗设计实现中power switch cell添加，power mesh，串链等问题复盘下面我们来看看这个案例涉及到的DRC Violation。最后也会分析下当前这个floorplan的合理性。1）Cut Short Cut Short本质就是通孔VIA的short。我们直接通过violation browser直接定位到VIA6这个位置，我们发现确实存在两条不同的net使用M6搭在一起了。2...
1）PP.S.1/NP.S.1在传统28nm工艺实现中，两个tapcell或endcap 贴在一起并不会引起drc violation。但在这个12nm先进工艺中，tapcell是不允许出现abutment的情况。由于PR工具Innovus中看不到base layer的层次，所以我们通过calibre查看gds可以看到如下所示的PP layer间距不满足设计规则要求。解决这类DRC Violation主要...
这里的NW1V是指core device的nwell。DRC violation描述中相关的DRC专用名词一般在design manual中都可以找到解释的。 高亮这个DRC violation,工具自动高亮如下图所示。这里工具是报两个nwell间距必须大于0.8um。 其实乍一看这里感觉没什么问题,因为core区域的nwell不都是这个间距嘛?但稍微有经验的工程师一看就知道这里的p...
所以,这个DRC Violation出现的原因有两个。第一个是工具能力有限,最后会残留几个filler vt插错的情况,这个类似DRC无法完全修干净一样。第二个是placemnet阶段没有加好placeMode导致大规模这类drc violation的情况。 3)PO.S.22.6 这类DRC Violation是因为在floorplan阶段没有指定好一个合理的core2die值。core2die和...
第二步,设置OCV,打开修antenna,设置二极管类型,报出drc、geometry、connection、antenna的所有drc violation,然后删除所有violation的连线,重新连线 setAnalysisMode -analysisType onChipVariation -cppr both setNanoRouteMode -quiet -drouteFixAntenna 1 setNanoRouteMode -quiet -routeInsertAntennaDiode 1 ...
当出现violation集中报错在一个或几个寄存器时,不要惊慌 以一个corner下面的tb结果为例, 报出来的问题一般以如下图的形式给出: 根据类似上图的violation,我们能得到那些信息能呢? 首先看到有setup违规 出现违规的时间是815xxxxxPS和81569xxxxPS 寄存器D端到CK端发生SETUP时间不满足问题 ...
因此这类DRC可能是假象。建议在宏观单元间预留适当间距，并考虑使用soft blockage。总结，学员在遇到TSMC 28nm和12nm的DRC Violation时，应学会分析违规原因，如检查填充、边界定义和间距设置，并利用社区提供的工具进行修复。通过复盘这些案例，学员可以提升后端设计和验证的技能。
The override color (the color associated with the display of a violation overlay) is as defined for theDRC Error MarkersunderSystem Colorson theView Configurationpanel. Overlay Zoom Out Behavior Use these options to determine how the overlays are displayed when you zoom out: ...
The software supports the ability to selectively waive any DRC violation. This allows you to effectively 'suppress' a violation that is considered not to be an issue without having to craft a special (and maybe complex) design rule to facilitate the design situation. ...
Automated DRC Violation Waiver Management for IP Block Integration