但单元本身并不具有这种尺寸,因为单元本身会大得多。通过堆叠,你可以用实际的单元尺寸除以层数,从而获得小得多的有效面积效率。 三星尚未透露具体如何实现这一点。但泛林集团发布了一篇博客,阐述了如何实现这一目标的想法。泛林集团是一家半导体加工设备供应商,因此大概不会涉足DRAM业务。该公司也不太可能透露其客户在...
三星电子还在会议上探讨了将BSPDN背面供电技术用于3D DRAM内存的可能性,认为该技术有助于于未来对单个内存bank的精细供电调节。 尽管东京电子预测VCT DRAM的商用化要到2027年才能实现,但三星内部对3D DRAM的商业化充满信心,计划在2025年内部发布4F2 Square工艺,并逐步推进3D DRAM的研发,预计在2030年之前推出市场。 SK...
海力士在半导体会议VLSI 2024上提交了一份关于3D DRAM的研究论文,指出 其五层堆叠的3D DRAM生产良率达到了56.1%,实验中的3D DRAM显示出与目前使用的2D DRAM相似的特性。这是海力士 首次披露其3D DRAM开发的具体数据和运行特性。海力士还在研究将IGZO材料应用于3D DRAM,以解决带宽和延迟方面的挑 战。IGZO是由铟、镓...
三星计划2030年实现3D DRAM商业化发展,2024年三星对外展示了两项3D DRAM技术,包括VCT和堆叠DRAM(Stacked DRAM),三星首先引入VCT技术,之后升级到堆叠DRAM,将多组VCT堆在一起,以持续提升DRAM容量与性能。针对堆叠DRAM,三星表示,其可充分利用Z轴向空间,较小面积容纳更多存储单元,单芯片容纳提升至100Gb以上。今年5月,三...
在技术日新月异、市场瞬息万变的背景下,半导体行业无疑是一个焦点。近期,兆易创新在其投资者关系活动中透露,预计利基型DRAM市场将在2025年上半年继续维持价格的底部盘整阶段,令人关注的是,这一现象背后究竟隐藏着怎样的市场逻辑与发展潜力? 一、市场现象引发关注 ...
今年早些时候,三星电子还在美国硅谷开设了一个新的R&D研究实验室,专注于下一代3D DRAM芯片的开发。 能看到,三星电子聚焦3D DRAM市场,一直在开发新技术。 在近日举行的Memcon 2024上,三星电子再次公布了其关于3D DRAM开发的雄心勃勃计划,并明确表示将在2030年前实现这一技术的商业化。
SXDRAM を使用する利点 設定によって、SXDRAM を割り当てることができます。SXDRAM を割り当てると、SX は SXDRAM のアクセスを最適化することができ、SXDRAM の操作を迅速に実行します。しかし、割り当てられたメモリーは、他のアプリケーションでは使用することができません。たとえば、...
兆易创新表示,公司做的Flash产品是NOR Flash、SLC NAND Flash,这个市场是利基市场,也就是说当市场短缺的时候,短缺的缺口并不足以支撑建一个新的晶圆厂,即当发现NOR Flash紧缺的时候,这个缺口也容纳不了增加一个新的晶圆厂。NOR Flash变成利基市场以后,会由IDM模式慢慢转向Fabless模式,以能够更好满足市场变动的...
根据TrendForce集邦咨询最新调查,2025年第一季下游品牌厂大都提前出货因应国际形势变化,此举有助供应链中DRAM的库存去化。展望第二季,预估Conventional DRAM(一般型DRAM)价格跌幅将收敛至季减0%至5%,若纳入HBM计算,受惠于HBM3e 12hi逐渐放量,预计均价为季增3%至8%。
此前,摩根士丹利曾表示GPT-5将使用25000张GPU,自2月以来已经开始训练,不过Sam Altman之后澄清了GPT-5尚未进行训练。 不过,Altman此前表示:“我们的GPU非常短缺,使用我们产品的人越少越好。如果人们用得越少,我们会很开心,因为我们没有足够的GPU。” 在这 ...