在半导体制造过程中，离子注入或扩散工艺是重要的步骤之一。Doping concentration，即掺杂浓度，指的是通过离子注入或扩散工艺向硅衬底的有源区域引入特定类型的杂质原子，以改变半导体材料的电学性质。这一过程对于制造半导体器件至关重要。具体而言，Doping concentration决定了掺入的电子或空穴的数量。电子是5价...
半导体行业中，"doping concentration"是一个关键术语，它特指在半导体器件制造过程中离子注入（也称为扩散）工艺中所涉及的掺杂浓度。具体来说，这一概念指的是在硅基衬底的有源区域中，通过引入电子（例如，五价离子）或空穴（三价离子）的过程，以实现所需的电性特性。这些掺杂物质的精确控制对于半导体...
Doping Concentrationlaser crystalsRp Photonics Consulting Gmbh
参杂浓度 凯思隆科技KeithLink... ... ◙ 电导率 Conductivity ◙参杂浓度Doping concentration◙ 载子迁移率 Carrier concentration ... www.keithlink.com|基于2个网页 3. 杂质浓度 ...使得基板的电压产生飘移,进而影响附近的电路,当基板杂质浓度(doping concentration)低时,杂讯经由channel stop implant 影…...
1)doping concentration掺杂浓度 1.Measurement of doping concentration in strained Si_(1-x) Ge_x with four-probe array;四探针法测量应变Si_(1-x)Ge_x掺杂浓度 2.The electroluminescence spectra of devices with different doping concentration are detected under different driving current densities.分别以PtO...
是半导体制程里面离子注入（扩散）工艺的术语，指离子注入（参杂）浓度。，即在形成器件的硅衬底有源区参杂电子（5价离子）或者空穴（3价离子），以达成电性要求。
半导体材质是依赖内部正负电子传递(也可称推进)来作用，doping 指不同型态电子的位移，doping concentration 指电子位移的浓缩并聚能;
Doping concentration refers to the amount of foreign elements added to a semiconductor material, such as Co, Fe, La, Zn, C, or S, to enhance its photocatalytic activity by modifying its optical properties and charge dynamics. AI generated definition based on: Journal of Electronic Science and ...
翻译 doping-concentration 翻译 掺杂浓度 以上结果来自机器翻译。 释义
The electroluminescence spectra of devices with differentdoping concentrationare detected under different driving current densities. 分别以PtOEP掺杂和未掺杂的Alq3膜作为发光层制作有机发光器件(OLED),改变掺杂浓度,检测器件电致发光(EL)光谱的变化。 3.