唯样商城为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMP3085LSD-13 元器件,主要参数为:2P-Channel 1.1W 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 3.9A,DMP3085LSD-13库存充足,购买享优惠!
DMP3085LSD-13 商品编号 C155216 商品封装 SOIC-8 包装方式 编带 商品毛重 0.388克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型- 漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)3.9A 导通电阻(RDS(on))95mΩ@4.5V,4.2A ...
企业档案 供应商品 联系企业DMP3085LSD-13 场效应管 DIODES/美台半导体价格 ¥ 0.41 起订数 1个起批 发货地 江苏南京 咨询底价 产品服务 热门商品 1-794608-0 胶壳及附件 TE/泰科 ¥ 0.04 SMBJ22CA TVS二极管 Brightking/君耀 ¥ 0.17 172782-7 电子元器件 TE/泰科 ¥ 0.07 SWPA5040S220MT...
DMP3085LSD-13 产品概述 产品简介 DMP3085LSD-13 是由美台半导体公司 (DIODES) 生产的一款高效能 P 沟道场效应管 (MOSFET),它采用了表面贴装 (SMD) 型式,封装为 SO-8。这款 MOSFET 设计旨在满足现代电子设备对功率管理和开关控制的需求,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及其他高科技领域。
DMP3085LSD-13 价格参考￥ 0 。 DIODES DMP3085LSD-13 封装/规格: SOICN-8_4.9X3.9MM, MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO。你可以下载 DMP3085LSD-13 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版: DMP3085LSD-13...
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其它名称: DMP3085LSD-13DITR FET 类型: 2个 P 沟道(双) FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压(Vdss): 30V 功率- 最大值: 1.1W 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装: 8-SO 价格说明 价格:商品在平台的...
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