型号: DMP3056LSS-13 封装: SOP8 批号: 2021+ 数量: 12000 制造商: Diodes Incorporated 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SO-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 7.1 A Rds On-漏源导通电阻: 45 mOhms Vgs - ...
DMP3056LSS-13 多种规格高性能场效应管 DIODES品牌 价格 ¥ 1.22 ¥ 1.18 ¥ 0.77 起订数 5PCS起批 100PCS起批 500PCS起批 发货地 广东深圳商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 DIODES、 DMP3056LSS、 13 商品图片 商品参数 品牌: DIODES 数量: 5000 制造商: ...
DMP3056LSS-13 是一款高性能的 P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),由美台(Diodes Incorporated)生产,专为需要高开关效率和低功耗损耗的应用设计。这款元器件以其卓越的电气性能和可靠性,广泛应用于各种电子电路中,如电源管理、负载开关和信号调节等领域。
系列: DMP3056 晶体管类型: 1 P-Channel 宽度: 4.1 mm 下降时间: 14.7 ns 上升时间: 5.3 ns 典型关闭延迟时间: 26.5 ns 典型接通延迟时间: 6.4 ns 单位重量: 851 mg DMP3056LSS-13 贴片SOP-8 P沟道 30V 7.1A MOS场效应管 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能...
DMP3056LSS-13 由DIODES 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 rschip1stopverical 等渠道进行代购。 DMP3056LSS-13 价格参考￥ 0.6993 。 DIODES DMP3056LSS-13 封装/规格: SOIC8N_150MIL, 单P沟道增强型场效应晶体管VDS=30V SOP83 ID=7.1A VGS=±20V。你可以下载 DMP3056LSS-13 中文资料、引脚...
DMP3056LSS-13参数 漏源电压(Vdss)30V连续漏极电流(Id)(25°C 时)7.1A 栅源极阈值电压2.1V @ 250uA漏源导通电阻45mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C)2.5W类型P沟道 FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss)30V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)7.1A(Ta) ...
品牌名称DIODES(美台) 商品型号DMP3056LSS-13 商品编号C110502 商品封装SOP-8 包装方式 编带 商品毛重 0.295克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 - 漏源电压(Vdss) 30V 连续漏极电流(Id) 7.1A 导通电阻(RDS(on)) 65mΩ@4.5V,5A 耗散功率(Pd) 2....
系列: DMP3056 晶体管类型: 1 P-Channel 宽度: 4.1 mm 下降时间: 14.7 ns 上升时间: 5.3 ns 典型关闭延迟时间: 26.5 ns 典型接通延迟时间: 6.4 ns 单位重量: 851 mg DMP3056LSS-13 场效应管 DIODES(美台) 封装8-SOP 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活...
MOS管场效应 DMP3056LSS-13 Diodes SOP8价格 ¥ 0.50 ¥ 0.30 ¥ 0.15 起订数 1000个起批 3000个起批 9000个起批 发货地 广东深圳 咨询底价 产品服务 热门商品 MOS管场效应 SI2316DS-T1-E3 Vishay SOT-23 ¥ 0.15 整流二极管 SS34 ¥ 0.10 FH19SC-27S-0.5SH ¥ 0.10 MOS管场效应...
DMP3056LSS-13 数据手册 ECAD模型: 制造商: Diodes Incorporated 标准包装: Product Variant Information section 2500/卷盘 Date Code: Product Specification Section Diodes Incorporated DMP3056LSS-13 - 产品规格 发货信息: 该产品不能运往某些国家/地区 .查看国家列表。 ECCN: EAR99 产品变更通知:...