漏源电压(Vdss)30V连续漏极电流(Id)(25°C 时)7.1A 栅源极阈值电压2.1V @ 250uA漏源导通电阻45mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C)2.5W类型P沟道 FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物) 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)7.1A(Ta)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V ...
SO-8 包装: 编带 重量: 0.295g 描述: 场效应管(MOSFET) 2.5W 30V 7.1A 1个P沟道 SOP-8 库存: 1314(起订量1,增量1) 批次: - 数量: X 1.020978 按整: 圆盘(1圆盘有2500个) 合计: ￥1.02 梯度 内地(含税) 香港 1+ ￥1.020978 --
DMP3056LSS-13Diodes IncorporatedTransistor: P-MOSFET, unipolar, -30V, -6A, Idm: -20A, 2.5W, SO80 1起订1+ 10+ 100+ 500+ 1000+ 2500+ ￥6.95 ￥5.37 ￥3.66 ￥2.88 ￥2.11 ￥2.06 1-3周询价 英国11号仓库仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠...