用CASTEP中GGA+U方法计算NaNbO3的能带,发现随着U值的增大带隙反而变小,不加U时得到的带隙2.46 eV, Nb 4d 的U=2.5时带隙变为1.6左右,一般+U不是使带隙增大吗?带隙变小是+U不适合该体系吗,有+U带隙变小的可能吗,求有经验者指教,非常感谢! 返回小木虫查看更多分享...
我在用DFT+U算Y2O3时,U值加的越大,算出的带隙越小,用PBE直接算带隙4.12eV,加完变成3点几了...
例如ZnO的计算,我看基本所有文献都是以优化后的晶格常数为判断标准,决定U值后在去计算带隙,可是这个带隙比实验值小很多。 而我尝试过直接不加U直接优化晶格(PBE得到晶格常数还是很准确的),然后在加U调整带隙,得到一个合适的U值。可是将这个U值 带入后重新优化晶格,晶格会发生很大的畸变。 所以,我想了解两种思路:...
与NH2-UiO-66的TDOS相比,在加入PPy后,最高占据分子轨道(HOMO)和最低未占据分子轨道(LUMO)都变小了,从而缩小了带隙,这与紫外可见光实验结果一致。PPy/NU-1 的费米级(Ef)也移动到了 LUMO 的底部,表明复合材料的 PPy 结构促进了电子迁移的数量。进一步比较了 PPy/NU...
DFT+U计算需要在输入文件INCAR中添加命令,其具体含义如下所示: LDAU= .TRUE.|.FALSE.#开启/关闭+U功能,默认值为.FALSE.; LDAUTYPE=1|2|4#+U的类型,默认值是2,2为Dudarev等提出的简化 LSDA+U方法; LMAXMIX =2/4/6#默认为2,加U计算时该值需大于轨道量子数,...
可以看到单独的GGA-PBE肯定是低估带隙了,并且+U确实有效果,带隙提高到了2.22 eV左右,mBJ对带隙的计算依旧发挥稳定,3.04 eV。还尝试了一下在mBJ的基础上再+U(有点邪门,但是确实可以这么操作),带隙继续提高到了3.44 eV,令人意外的是常用来矫正能量的SCAN和R2SCAN泛函也有一定改善带隙计算的能力,效果和+U接近,...
设置U=2.5,2.55,3.4,5ev,然后对一个晶胞(实验参数,几何优化之前)看了下能带,都是没带隙啊...
(1) VASP中DFT+U计算参数设置 在INCAR中设置以下参数: LDAU= .TRUE.|.FALSE. 开启/关闭+U功能,默认值为.FALSE.; LDAUTYPE=1|2|4 +U的类型:1是Liechtenstein等提出的旋转不变LSDA+U方法;2是 Dudarev等提出的简化 LSDA+U方法;4与1类似, 但不考虑LSDA交换劈裂。默认值是2。 LDAUL=-1|1|2|3 -1表...
LDAU= .TRUE. | .FALSE. 默认值是 .FALSE. 开启或者关闭 U 功能。 LDAUTYPE= 1 | 2 | 4 默认值是 2 1: Liechtenstein 等人提出的旋转不变的 DFT+U ; 2:Dudarev 等人提出的 DFT+U 的简化(旋转不变)方法; 4:与 1 方法相同,但是没有交换分裂; ...