计算细节：为了进行第一性原理计算，采用了基于投影法增强的赝势平面波基组的维也纳从头计算软件包（vasp）中实现的密度泛函理论方法。对于交换相关泛函，所有计算均采用广义梯度近似( GGA )。采用自旋极化计算的哈伯德型U修正为GGA ( GGA + U )，考虑到过渡金属3d带( 即 t2g带和 eg带，晶场分裂 )的强相关性，...
MS掺杂建模--合金、间隙掺杂、随机替代掺杂、随机空位、无序掺杂、虚晶近似VCA | Materials Studio建模特训营| 华算科技-MS杨站长 1538 0 14:07 App 10. 在VASP中执行DFT+U计算 3.0万 1 10:06 App MS【电化学固液界面1】溶液与固液界面建模:Material Studio/PackMol显示溶剂建模 | MS杨站长 华算科技 3318...
采⽤Windows版本MS建模+参数设置,Linux版本完成计算任务。 课表一览 课程详情 密度泛函理论与分子力学方法 1. 波恩-奥本海默近似,Hatree-Fock近似,密度泛函理论2. Kohn-Sham方程,交换关联势,LDA/GGA,电子自洽循环,DFT的缺陷3. 电子步、离子步及参数设置,收敛性测试4. 电子自旋设置方法,DFT+U与杂化泛函使用方法...
最近在学习CP2K，计算的时候需要使用DFT+U的方法，按照之前在VASP中的参数设置了U值，使用的是MULLIKEN...
如图1d所示，TM@g-C3N4的结合能绝对值首先从Sc到Cr快速下降，然后从Cr到Ni几乎保持恒定，然后从Ni到Zn再次下降。如图1e所示，TM@g-C3N4的Ef值远低于零，表明这些金属在纳米片上具有较高的热力学稳定性。并且除Zn@g-C3N4之外，其他TM@g-C3N4的Udiss值为正值，表明它们在酸性条件下可以保持电化学稳定。图2 （...
对于交换相关泛函,所有计算均采用广义梯度近似( GGA )。采用自旋极化计算的哈伯德型U修正为GGA ( GGA + U ),考虑到过渡金属3d带( 即 t2g带和 eg带,晶场分裂 )的强相关性,从以往的报道中得到Mn4 +的对应值。 为了更准确地描述Li +和Na +,Na赝势被一个3s电子和六个2p电子覆盖,Li被一个2s电子和两个...
（2）. 自由能与内能之间的关系F=U-TS我们都知道VASP的所有计算都是在绝对0度下的情况，T=0代入上...
(i) Reaction energy barriers for PMS activation on pristine CNT and CNT with various oxygen functional groups, where IS, TS, FS and MS are the models in the initial, transition and final states and the intermediate product, respectively. (j) Reaction mechanism of PMS activation on CNTs with...
JPCC：DFT计算g-C3N4卤化作用提高电催化还原CO2的电子来源 研究背景 通过电化学CO2还原反应(CO2RR)将二氧化碳(CO2)转化为有益的化合物，如甲酸、甲醇和甲烷，作为缓解与化石燃料使用相关的环境问题以及由此产生的大气中高水平CO2排放的一种有前途的策略，已引起了广泛关注。在低应用电位(U)下将CO2转化为CO2-自由基阴...
(11)DFT+U与DFT+D (12)平面波基组 4、分子动力学理论 (1)经典势能函数 (2)分子力场:详细介绍传统力场、第二代力场、通用力场、极化力场及粗粒化力场;分子力场的选择;力场存在问题;力场的发展趋势 (3)分子动力学模拟流程 Part 3 电子结构与材料计算模拟软件 ...