dfn封装成熟稳定产线一站式服务定制化封装方案万应微 -- -- -- -- 面议 成都万应微电子有限公司 -- 立即询价 NCE30H10G 电子元器件 JSMSEMI杰盛微 封装DFN5060-8L 批次23+ NCE30H10G 15000 JSMSEMI杰盛微 DFN5060-8L 23+ ￥0.1680元100~999 ...
矽源特ChipSourceTek-CST30100G是BVDSS=30V,RDSON=3.8mΩ,ID=80A的N沟道快速切换Mosfets。提供PDFN5060-8L封装。矽源特ChipSourceTek-CST30100G是高单元密度沟槽MOSFET，可为DC/DC转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。矽源特ChipSourceTek-CST30100G符合RoHS和绿色产品要求，100%EAS保证，全功能可靠性得到批准。
PANJIT/强茂 场效应管MOSFET PJQ5446 DFN5060-8L 40A,±20V,70A,14mΩ 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单...
在封装方面，矽源特ChipSourceTek-CST30100G采用了PDFN5060-8L封装，使得产品更加易于集成和安装。该封装具有良好的散热性能和电气性能，能够满足各种不同应用的需求。总的来说，矽源特ChipSourceTek-CST30100G是一款高性能、高可靠性的N沟道快速切换Mosfet，具有广泛的应用前景。它的出色表现和可靠性将为系统带来更...
PANJIT(强茂)推出了DFN5060-8L的封装PJQ5426(30V/115A)N沟道增强型MOSFET。开关速度快,反向传输电容低,符合欧盟RoHS 2.0无铅的标准,绿色环保塑封,符合IEC
最大电源电压 8V 长度 3.3mm 宽度 2.9mm 高度 2mm 可售卖地 全国 型号 YJG40N03A 技术参数 品牌: 扬杰 型号: YJG40N03A 封装: PDFN5060-8L 数量: 5000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作温度: 125C 最小电源电压: 2.5V 最大电源电压: 9V 长度: 8.6mm 宽度...
PANJIT(强茂)电子有限公司推出了DFN5060-8L的封装PJQ5424(30V/100A)N沟道增强型MOSFET。开关速度快,反向传输电容低,符合欧盟RoHS 2.0无铅的标准,绿色环保塑封
封装 DFN5060-8L 批号 22+ 数量 12600 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -20C 最大工作温度 90C 最小电源电压 2V 最大电源电压 6.5V 长度 2.1mm 宽度 9.6mm 高度 1.1mm 可售卖地 全国 型号 PJQ5443-AU 技术参数 品牌: PANJIT/强茂 型号: PJQ5443-AU 封装: DFN5060-8...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 PANJIT、 强茂、 场效应管MOSFET、 mosfet、 PJQ5446、 DFN5060、 8L 商品图片 商品参数 品牌: PANJIT/强茂 客服热线: 18126259401 封装: DFN5060-8L 批号: 22+ 数量: 89070 MOS种类: 低压MOS Vdss漏...
PANJIT推出了60V/40A DFN5060-8L封装的PJQ5466A的N沟道增强型MOSFET,反向传输电容为85pF。具有开关速度快、改进的dv/dt能力、反向传输电容低的特点,符合欧盟RoHS 2.0无铅的标准,绿色环保塑封,符合IEC 61249标准。 2019-12-20 - 新产品 代理服务 技术支持 采购服务 【产品】30V/90A的N沟道增强型MOSFET PJD90...