DFN5*6封装型号 DFN3*3封装尺寸及外观图 DFN5*6与DFN3*3封装MOS管厂家 DFN5*6与DFN3*3封装MOS管厂家,KIA半导体开启了前行之路,注册资金1000万,办公区域达1200平方,已经拥有了独立的研发中心,研发人员以来自韩国(台湾)超一流团队,可以快速根据客户应用领域的个性来设计方案,同时引进多台国外先进设备,业务含括
型号:DFN5*6尺寸:5mm x 6mm精度:微米级别的加工精度,确保测试的准确性和可靠性。三、应用场景钨钢测试爪DFN5*6主要用于电子元器件和半导体封装的测试和检测,具体应用场景包括但不限于:1. 集成电路(IC)测试在集成电路生产过程中,钨钢测试爪用于对IC进行功能性测试、参数测试和可靠性测试。其高精度和高稳定性能够...
封装 DFN5*6 数量 10000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -40 最大工作温度 120 可售卖地 全国 品牌 YH/华羿微电 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下...
WilberTse Lv6. 高级专家 2021-03-16 学习了 jishizhong Lv9 2021-03-15 学习了 新生物 Lv8. 研究员 2021-03-12 学习 没有更多评论了 相关推荐 【产品】超小封装尺寸氮化镓功率晶体管(4.1mm×1.6mm),栅极电荷QG典型值仅8.7nC EPC推出的EPC2015C增强型功率晶体管属于氮化镓(eGaN)器件,与传统器件相...
矽源特ChipSourceTek-AKT3090G是PDFN5*6封装,30V,30A的N-Mosfet。矽源特ChipSourceTek-AKT3090G是VDS=30V,Typ.RDS(on)=2.3mΩ@VGS=10V, Id=30A的N通道增强模式电源Mosfet。提供PDFN5*6封装。 矽源特ChipSourceTek-AKT3090G是VDS=30V,Typ.RDS(on)=2.3mΩ@VGS=10V, Id=30A的N通道增强模式电源Mosfet。
- **封装尺寸**:DFN5060-8L封装尺寸为5.0mm x 6.0mm,具有较小的占用空间,便于在紧凑的电子设备中使用。 - **引脚配置**:矽源特ChipSourceTek-CSTS60N04F的8个引脚包括栅极(G)、漏极(D)、源极(S)等,引脚布局合理,便于与其他电路元件连接。
FM30H12G 场效应管 PDFN5*6封装 富满 FM30H12G 是一款 N通道沟槽电源的场效应管（MOS管），封装形式：PDFN5*6。FM30H12G应用：1、液晶电视 2、笔记本 3、电梯 4、感应加热 5、电动工具 6、宽频 #FM30H12G #场效应管 #MOS管#
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矽源特ChipSourceTek-CST30100G采用PDFN5060-8L封装，具有BVDSS=30V、RDSON=3.8mΩ和ID=80A的N沟道快速切换Mosfet。在DC/DC转换器应用中，矽源特ChipSourceTek-CST30100G的高单元密度沟槽技术可实现出色的导通电阻和栅极电荷性能，从而提高系统的能效和可靠性。其低栅极电荷特性可减小驱动电路的功耗，降低系统成本...